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MOSFET
英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本
Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻（RDS(on)），进而减少了导通损耗，提高了整体设备效率和电流密度，而且还节省了与MOSFET相关的成本。
峰值效率达到96 %！威世科技推出全新Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET
日前，威世科技Vishay 宣布，推出新的Gen 4.5 650 V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。与上一代器件相比，Vishay Siliconix N沟道SiHK050N65E的导通电阻降低了48.2 %，而电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中650V MOSFET的重要优值因数（FOM）降低了65.4 %。
双芯集成+WLCSP封装！ROHM发布单芯片双向保护MOSFET，面积缩减81%
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET*1新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻*2低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。
车规级碳化硅突围！AOS推出aSiC MOSFET破解高压拓扑能效瓶颈
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——采用非对称梯度掺杂技术，使栅极电荷量（Qg）降低至145nC，同时保持100V/ns的优异di/dt耐受能力。
体积缩小+开关功耗低！东芝发布新型650V第3代SiC MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社宣布，其基于第三代碳化硅（SiC）MOSFET技术的四款650V功率器件——TW031V65C、TW054V65C、TW092V65C及TW123V65C正式投入批量生产。该系列采用紧凑型DFN8×8封装，其体积减小90%以上，为开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备提供更高功率密度的解决方案。
突破浪涌瓶颈！AOS新型TOLL封装MOSFET赋能48V热插拔应用
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。
带宽翻倍+能效优化！Cadence 发布DDR5 IP 方案破局AI算力瓶颈
Cadence基于台积电3nm工艺打造的DDR5 12.8Gbps MRDIMM Gen2内存IP实现三大技术突破：1）采用双通道交织架构，通过独立时钟域设计实现数据速率翻倍；2）集成AI驱动的动态功耗管理系统，使能效比（GB/s/W）提升40%；3）开发出三级冗余校验（TRC）技术，将数据传输可靠性提升。特别值得关注的是，该方案通过硅验证的DFI 5.0接口，使SoC与内存模组间通信延迟降低，较DDR5标准接口提升2倍。
导通电阻1.2mΩ！强茂SGT-MOSFET的车用效能突破
在新能源汽车渗透率突破35%的产业背景下，强茂电子推出全新60V N通道SGT-MOSFET系列，以 屏蔽栅槽沟技术（SGT） 为核心，实现导通电阻低至1.2mΩ、开关损耗降低57%的性能突破。通过AEC-Q101车规认证与全场景封装方案，该系列器件瞄准车载电源管理、电机驱动及智能驾驶系统，直面英飞凌、安森美等国际大厂的竞争，成为国产车规功率半导体的破局标杆。
18%能效跃升！ROHM首款100V MOSFET破解AI服务器电源瓶颈
日本半导体制造商ROHM最新推出的100V功率MOSFET——RY7P250BM，直击AI服务器48V电源系统的核心痛点。这款仅8×8mm尺寸的芯片，在AI服务器热插拔电路应用中同时实现了更宽的安全工作区（SOA）范围和更低导通电阻的双重突破12。
导通电阻+热阻双重突破！Vishay 新款80 V MOSFET重构工业电源散热与焊接新标准
全球功率半导体领军企业Vishay Intertechnology（NYSE:VSH）宣布，其TrenchFET® Gen IV系列再添猛将——80V N沟道功率MOSFET SiEH4800EW。这款采用革命性无引线键合（BWL）封装的工业级器件，通过材料科学与拓扑结构的双重创新，实现导通电阻（RDS(on)）较同类产品降低15%、结壳热阻（RthJC）优化18%的突破性进展。在工业自动化、电机驱动等高功率密度场景中，该器件可显著提升系统能效并降低热管理成本，为工业4.0时代的功率转换系统树立全新性能标
双面散热黑科技！英飞凌MOSFET破解AI电源能效困局
当ChatGPT日耗电50万度的数据震惊行业，AI军备竞赛已悄然转向能效战场。英飞凌科技（FSE:IFX）近日宣布，其OptiMOS™ 6 80V功率MOSFET成功量产应用于全球TOP3芯片厂商的AI服务器中间总线转换器（IBC），在48V转12V关键链路实现能效突破。测试数据显示，该方案使单机架年节电量突破1万度，相当于为25辆特斯拉Model 3充满电的能量储备。
栅极中置+源极朝下，AOS新款MOSFET重塑AI服务器供电格局
AOS推出革命性源极朝下封装MOSFET——AONK40202，通过颠覆性的DFN3.3x3.3封装结构，将25V器件的电流承载能力推至319A巅峰。专为应对AI服务器千瓦级电源挑战，其创新的栅极中置布局与源极直连PCB设计，实现热阻降低40%的同时，为高密度DC-DC电路节省50%布线空间。
