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MOSFET
Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件---SiHK045N60E
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %，为通信、服务器和数据中心电源应用提供了高效解决方案，同时实现栅极电荷下降60 %。
东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET DTMOSVI系列
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”)在其DTMOSVI系列新一代650 V超结结构N沟道功率MOSFET中推出四款新产品——“TK090E65Z、TK110E65Z、TK155E65Z和TK190E65Z”，它们适用于数据中心、光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源。
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25V和30V功率MOSFET
英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。这些新器件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显著的性能优势。OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列已针对服务器、通讯、便携式充电器和无线充电等SMPS应用中的同步整流进行了优化。这些功率MOSFET还可在无人机中，应用于小型无刷电机的
Microchip推出业界领先的3.3 kV碳化硅功率器件
牵引功率单元（TPU）、辅助动力装置（APU）、固态变压器（SST）、工业电机驱动和能源基础设施解决方案的系统设计人员需要借助高压开关技术来提高效率和可靠性，并减小系统尺寸和重量。Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出业界导通电阻【RDS(on)】最低的3.3 kV碳化硅MOSFET和额定电流最高的碳化硅SBD，让设计人员可以充分利用其耐用性、可靠性和性能。Microchip扩大的碳化硅产品组合为电气化交通、可再生能源、航空航天和工业应用的
东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET
中国上海—东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。
东芝推出用于车载设备的40V N沟道MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝”) 推出了用于车载设备的40V N沟道MOSFET“SSM6K804R”，以扩充产品线。新产品SSM6K804R采用新工艺制造，实现业界领先[1] 低导通电阻，4.5V栅源电压条件下，最大导通电阻为18mΩ。此外，扁平引线封装提高了芯片安装能力，降低热阻。产品采用小型TSOP6F封装，额定功耗仅为1.5W[2]，有助于降低设备能耗。
ROHM的600V耐压超级结MOSFET新增R60xxVNx系列的7款机型
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。
东芝推出两款采用小型高允许功耗TSOP6F封装的MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）新推出两款采用小型高允许功耗TSOP6F封装的MOSFET产品，以扩展其产品线。它们分别为20V N沟道“SSM6K824R”和-30V P沟道 “SSM6J825R”，适用于消费电子设备和工业设备电机控制等应用。”
英飞凌推出1200V低阻值CoolSiC MOSFET产品
CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC™ MOSFET具有一流的热耗散性能。
安森美推出全球首款TOLL封装650 V碳化硅MOSFET
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，在PCIM Europe展会发布全球首款To-Leadless (TOLL) 封装的碳化硅 (SiC) MOSFET。该晶体管满足了对适合高功率密度设计的高性能开关器件迅速增长的需求。直到最近，SiC器件一直采用明显需要更大空间的D2PAK 7引脚封装。
Nexperia推出用于自动安全气囊的专用MOSFET (ASFET)新产品组合
基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。
Qorvo推出具有业界出众品质因数的1200V第四代SiC FET
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出新一代1200V碳化硅（SiC）场效应晶体管（FET）系列，这些产品在导通电阻方面具备业界出众的性能表征。新的UF4C/SC系列1200V第四代SiC FET非常适合主流的800V总线结构，这种结构常见于电动车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、直流太阳能逆变器、焊机、不间断电源和感应加热应用。
e络盟进一步扩充半导体产品库存，满足日益增长的应用需求
安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟新增一系列领先的半导体产品，以持续满足客户的项目需求。通过这一举措，e络盟现储备来自Maxim Integrated、ST、NXP、Microchip、Cypress、Infineon及Onsemi等领先品牌的4.2万种创新产品。
意法半导体推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效
意法半导体的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N沟道超结多漏极功率MOSFET晶体管非常适用于设计数据中心服务器、5G基础设施、平板电视机的开关式电源 (SMPS)。
Diodes公司PowerDI8080封装的MOSFET提升现代汽车应用功率密度
Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 宣布推出创新高电流、高热效率且符合电动车 (EV) 产品应用需求的功率封装 PowerDI®8080-5。PowerDI®8080-5 封装的首款产品为 DMTH4M70SPGWQ，在 10V 闸极驱动下，此款符合汽车规格的 40V MOSFET 典型 RDS(ON) 仅为 0.54mΩ，闸极电荷为 117nC。如此领先业界的效能使汽车高功率 BLDC 马达驱动器、DC-DC 转换器及充电系统的设计人员能大幅提升系统效率，同时确保将功耗维持
贸泽备货UnitedSiC UF4C/SC 1200V第四代SiC FET
2022年6月9日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销UnitedSiC（现已被Qorvo®收购）的UF4C和UF4SC 1200V碳化硅 (SiC) FET。作为广泛的高性能SiC FET系列产品，此第四代器件具有出色的导通电阻特性，适用于主流800V总线架构中的电源解决方案，如电动汽车车载充电器、工业电池充电器、工业电源、DC-DC太阳能逆变器等应用。
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET
电源管理系统要实现高能源转换效率、完善可靠的故障保护，离不开高性能的开关器件。近日，豪威集团全新推出两款MOSFET：业内最低内阻双N沟道MOSFET WNMD2196A和SGT 80V N沟道MOSFET WNM6008。
Nexperia发布超小尺寸DFN MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括：
