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MOSFET
Transphorm的表面贴装封装产品系列增加行业标准TO-263 (D2PAK)封装产品
加州戈拉塔-- (新闻稿)--高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件扩充了其表面贴装封装产品系列。这款全新高功率表面贴装器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封装的650V SuperGaN®场效应晶体管 (FET)，典型导通阻抗为50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，丰富了目前面向中低功率应用的PQFN器件。
Nexperia发布具备市场领先效率的晶圆级12和30V MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。
UnitedSiC推出七款采用七引脚设计的新750V SiC FET
许多人选择“七”这个数字是因为它的“幸运”属性，而UnitedSiC选择它则当然是因为七个引脚非常适合D2PAK半导体封装。它比标准D2PAK-3L版本多了四个引脚，这造就了它的与众不同，它便于您采用灵活的设计选择，从而尽可能提高SiC FET的实际性能。一个引脚用于到源极的开尔文连接，避免负载电流与栅极驱动产生交互，一个引脚用于栅极，其他五个引脚并联到源极，以尽量减小电阻和引脚电感。
UnitedSiC推出为功率设计扩展高性能且高效的750V SiC FET产品组合
移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表贴 D2PAK-7L 封装的 750V 碳化硅 (SiC) FET。凭借该封装方案，Qorvo 的 SiC FET 针对快速增长的车载充电器、软开关 DC/DC 转换器、电池充电（快速 DC 和工业）和 IT/服务器电源应用实现量身定制。它们采用热性能增强型封装，为需求最大效率、低传导损失和高性价比的高功耗应用提供理想解决方案。
东芝推出面向更高效工业设备的第三代SiC MOSFET
中国上海——T东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出新款功率器件——第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，已于今日开始出货。
贸泽开售采用D2PAK-7L封装的工业用UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
2022年9月23日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装的UnitedSiC（现已被 Qorvo®收购）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅场效应晶体管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封装选项提供低开关损耗、在更高速度下提升效率，同时提高系统功率密度。这些FET经优化适合车载充电器、软开关DC/DC转换器、电池充电和IT/服务器电
EPC推出100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司(EPC)新推100 V、3.8 mΩ 的氮化镓场效应晶体管EPC2306，为高功率密度应用提供性能更高和更小的解决方案，包括 DC/DC 转换、AC/DC 充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等应用。
英飞凌推出第五代固定频率CoolSET产品组合
在提高高压电源的性能、效率和可靠性的同时，也需要减少元器件的数量和BOM(材料清单)成本,并降低所需的设计工作量。为了满足这些需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出第五代固定频率（FF）CoolSET™ 产品组合，旨在提供合适的关键器件，以优化设计。英飞凌全新的800V和950V AC-DC集成式功率级（IPS）产品均采用DIP-7封装，可满足家用电器辅助电源、AC-DC转换器、电池充电器、太阳能系统以及电机控制和驱动等应用的需求。
Nexperia 适用于 36V 电池系统的特定应用 MOSFET
36V 锂离子电池是当今工具和户外动力设备的常用电源。由 36V 电池供电的产品得益于高功率输出和较长的电池寿命，同时也相对较轻且易于使用。然而，36V 电池的高能量密度也需要实现高效和安全的电池隔离。
英飞凌推出全新的CoolMOS PFD7高压MOSFET系列
为了满足当今市场对产品小型化、高能效的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的CoolMOS PFD7高压MOSFET系列，为950V 超结（SJ）技术树立了新的行业标准。全新950V系列具有出色的性能和易用性，采用集成的快速体二极管，可确保器件的稳健性，同时降低了BOM（材料清单）成本。该产品专为超高功率密度和超高效率的产品设计量身打造，主要用于照明系统以及消费和工业领域的开关电源（SMPS）应用。
安森美推出采用创新Top Cool封装的MOSFET
2022年11月17日—领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布推出新系列MOSFET器件，采用创新的顶部冷却，帮助设计人员解决具挑战的汽车应用，特别是电机控制和DC-DC转换。
Nexperia推出用于热插拔的全新特定型应用MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其适用于热插拔和软启动的ASFET产品组合，推出10款全面优化的25V和30V器件。新款器件将业内领先的安全工作区(SOA)性能与超低的RDS(on)相结合，非常适合用于12V热插拔应用，包括数据中心服务器和通信设备。
贸泽电子开售各种面向电源转换应用的英飞凌通用MOSFET
提供超丰富半导体和电子元器件的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子(Mouser Electronics) 提供英飞凌的各种通用MOSFET。英飞凌丰富多样的高压和低压MOSFET产品组合为各种应用提供灵活性、适应性和高价值，可帮助设计师满足项目、价格或物流要求。
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出一款小型且高效的20V耐压Nch MOSFET*1“RA1C030LD”，该产品非常适用于可穿戴设备、无线耳机等可听戴设备、智能手机等轻薄小型设备的开关应用。
AOS推出低导通电阻的30V MOSFET
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 宣布推出一款低导通电阻的30V MOSFET——AONS30300，它具有较高的安全工作区（SOA），非常适合热插拔和eFuse等高要求应用。
安森美的EliteSiC碳化硅系列方案带来领先业界的高能效
领先于智能电源和智能感知技术的安森美(onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON)，宣布将其碳化硅(SiC)系列命名为“EliteSiC”。在本周美国拉斯维加斯消费电子展览会(CES)上，安森美将展示EliteSiC 系列的3款新成员：一款1700 V EliteSiC MOSFET和两款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二极管。这些新的器件为能源基础设施和工业驱动应用提供可靠、高能效的性能，并突显安森美在工业碳化硅方案领域的领导者地位。
英飞凌推出PQFN封装的源极底置功率MOSFET
未来电力电子系统的设计将持续推进，以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势，英飞凌科技有限公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了全新的3.3 x 3.3 mm2 PQFN 封装的源极底置功率MOSFET，电压范围涵盖25-150 V，并且有底部散热（BSC）和双面散热（DSC）两种不同的结构。该新产品系列在半导体器件级层面做出了重要的性能改进，为DC-DC功率转换提供了极具吸引力的解决方案，同时也为服务器、通信、OR-ing、电池保护、电动工具以及充电器应用的系统创新开
Vishay推出的新款对称双通道MOSFET
美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2023年1月30日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款新型30 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF5300DT和SiZF5302DT，将高边和低边TrenchFET® Gen V MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF5300DT和SiZF5302DT适用于计算和通信应
