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MOSFET
ROHM开发出安装可靠性高的10种型号、3种封装的车载Nch MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出具有低导通电阻*1优势的车载Nch MOSFET*2“RF9x120BKFRA”、“RQ3xxx0BxFRA”和“RD3x0xxBKHRB”。新产品非常适用于汽车门锁和座椅调节装置等所用的各种电机以及LED前照灯等应用。目前，3种封装10种型号的新产品已经开始销售，未来会继续扩大产品阵容。
东芝推出具备650 V N沟道功率MOSFET，扩大功率MOSFET的产品线
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）推出了具备650 V N沟道功率MOSFET的“TK068N65Z5、 TK095E65Z5、TK095A65Z5、TK095V65Z5、TK115E65Z5、TK115A65Z5、TK115V65Z5和TK115N65Z5”系列产品，并将其添加到东芝最新一代[1]采用了高速二极管（DTMOSVI（HSD））的DTMOSVI系列产品线中，该产品线采用了超结结构，非常适用于数据中心的高效开关电源和光伏发电机的功率调节器。新产品采用的封装为TO-247、TO-22
纳微推出TOLL封装版第三代快速碳化硅MOSFETs
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日宣布为其最新的第三代快速碳化硅（G3F）MOSFETs产品组合新增一款坚固耐用的热性能增强型高速表贴TOLL封装产品，能为大功率、可靠性要求高的应用带来高效、稳定的功率转换。
革新电路保护：Qorvo 4mΩ SiC JFET 助力固态断路器升级
Qorvo推出了一款750V、4毫欧（mΩ）碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）产品；其采用紧凑型无引脚表面贴装（TOLL）封装，可带来卓越的断路器设计和性能。
Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET
Nexperia今日宣布推出采用微型DFN封装的单和双小信号MOSFET器件，分别采用DFN1110D-3和DFN1412-6封装，且符合汽车可靠性标准。特别是DFN1110D-3封装得到了越来越广泛的应用，在用于汽车应用的晶体管和MOSFET的行业中成为“基准”封装。
锐骏半导体发布两款全新超低导、通电阻MOSFET产品
锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。这两款产品均采用DFN5060封装，凭借先进的制造工艺和出色的性能表现，将为客户带来更高效的解决方案。
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合
英飞凌科技股份公司推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。新型功率 MOSFET产品经过优化，具有高可靠性和易用性，专为满足各种大众市场应用的要求而设计，实现了高度的设计灵活性。适合的应用包括工业开关模式电源（SMPS）、电机驱动器、电池供电应用、电池管理系统和不间断电源（UPS）。
Vishay 推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器
日前，威世科技Vishay宣布，推出两款采用紧凑、高隔离延展型SO-6封装的最新IGBT和MOSFET驱动器---VOFD341A和VOFD343A。Vishay VOFD341A和VOFD343A的峰值输出电流分别达3 A和4 A，工作温度高达+125 °C，传播延迟低至200 ns。
三菱电机开始提供用于xEV的SiC-MOSFET裸片样品
三菱电机集团宣布，将于11月14日开始提供用于电动汽车（EV）、插电式混合动力汽车（PHEV）和其他电动汽车（xEV）电驱逆变器的碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）裸片样品。这是三菱电机首款标准规格的SiC-MOSFET功率半导体芯片，将助力公司应对xEV逆变器的多样化需求，并推动xEV的日益普及。这款用于xEV的新型SiC-MOSFET裸片结合了特有的芯片结构和制造技术，有助于提升逆变器性能、延长续航里程和提高xEV的能源效率，为脱碳目标做出贡献。
Vishay 新款150 V MOSFET具备业界领先的功率损耗性能
日前，威世科技Vishay宣布，推出采用PowerPAK® SO-8S（QFN 6x5）封装的全新150 V TrenchFET® Gen V N沟道功率MOSFET---SiRS5700DP，旨在提高通信、工业和计算应用领域的效率和功率密度。与上一代采用PowerPAK SO-8封装的器件相比，Vishay Siliconix SiRS5700DP的总导通电阻降低了68.3 %，导通电阻和栅极电荷乘积（功率转换应用中MOSFET的关键品质因数（FOM）降低了15.4 %，RthJC降低了62.5 %，而
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
Littelfuse隆重宣布推出IXTN400N20X4和IXTN500N20X4超级结X4-Class功率MOSFET。这些新器件在当前200V X4-Class超级结MOSFET的基础上进行扩展，有些具有最低导通电阻。这些MOSFET具有高电流额定值，设计人员能够用来替换多个并联的低额定电流器件，从而简化设计流程，提高应用的可靠性和功率密度。此外，SOT-227B封装的螺钉安装端子可确保安装坚固稳定。
意法半导体推出采用强化版STripFET F8技术的标准阈压40V MOSFET
意法半导体推出了标准阈值电压 (VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶体管，新系列产品兼备强化版沟槽栅技术的优势和出色的抗噪能力，适用于非逻辑电平控制的应用场景。
Vishay推出性能先进的新款40 V MOSFET
日前，威世科技Vishay宣布，推出采用PowerPAK® 10x12封装的新型40 V TrenchFET® 四代n沟道功率MOSFET---SiJK140E，该器件拥有优异的导通电阻，能够为工业应用提供更高的效率和功率密度。与相同占位面积的竞品器件相比，Vishay Siliconix SiJK140E的导通电阻降低了32 %，同时比采用TO-263-7L封装的40 V MOSFET的导通电阻低58 %。
Nexperia推出16款新80 V和100 V功率MOSFET
Nexperia宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。这些产品均采用创新型铜夹片CCPAK1212封装，具有业内领先的功率密度和优越性能。创新型铜夹片设计能够承载高电流、寄生电感更低且热性能出色，因此这些器件非常适合电机控制、电源、可再生能源系统和其他耗电应用。
瑞萨推出性能卓越的新型MOSFET
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）今日宣布推出基于全新MOSFET晶圆制造工艺——REXFET-1而推出的100V大功率N沟道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF，为电机控制、电池管理系统、电源管理及充电管理等应用提供理想的大电流开关性能。基于这一创新产品的终端设备将广泛应用于电动汽车、电动自行车、充电站、电动工具、数据中心及不间断电源（UPS）等多个领域。
东芝推出150 V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5
东芝推出并已大量投放到市场应用的150 V N沟道功率MOSFET TPH9R00CQ5，采用最新一代U-MOX-H工艺，实现了更小的体积，同时具有业界领先的低导通电阻和优化的反向恢复特性，有助于降低损耗，提高电源效率。在工业设备开关电源、数据中心和通信基站等电源应用中，该器件展现出了其卓越的性能，有效解决了上述技术难题。
