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MOSFET
改善便携设备电池充电的P 通道MOSFET
帮助蜂窝手机及其他便携式应用设计人员改善电池充电和负载开关，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
中等电压MOSFET新成员：提高功率密度并增加SMPS效率
提升功率密度和轻载效率是服务器、电信和AC-DC电源设计人员的主要考虑问题。此外，这些开关电源(SMPS)设计中的同步整流需要具有高性价比的电源解决方案，以便最大限度地减小线路板空间，同时提高效率和降低功耗。有鉴于此，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)扩展PowerTrench MOSFET系列来帮助设计人员应对电源设计挑战。
针对发动机压电喷射系统的车用功率MOSFET
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
Vishay推出具有业界最低导通电阻MOSFET
Vishay采用P沟道TrenchFET Gen III技术的12V和30V MOSFET具有业界最低导通电阻。该器件在4.5V下具有业内较低的13.5mΩ导通电阻，MOSFET的低导通电阻还意味着负载开关上的电压降更低，可防止有害的欠压锁定现象。
适用于便携消费电子产品的超小超薄小信号MOSFET
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体扩充公司宽广的接口及电源管理产品阵容，推出一对优化的超小超薄小信号MOSFET，用于空间受限的便携消费电子产品，如平板电脑、智能手机、GPS系统、数字媒体播放器及便携式游戏机。
Vishay推出17款600V N沟道功率MOSFET
Vishay的17款新器件扩充600V N沟道功率MOSFET系列，新的E系列器件具有低至39mΩ的导通电阻和7A～73A电流，采用的超级结技术可实现低FOM和高功率密度，具有8种封装。
小尺寸SOP-4封装集成关机功能的光隔离式MOSFET
Vishay发布新型光隔离式MOSFET驱动器，器件采用小尺寸SOP-4封装并集成关机功能，具有8.8V的开路电压和47µA的短路电流，隔离测试电压达4500VRMS。
Vishay发布4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。Si7655DN还是首个采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK 1212封装的器件，在实现低导通电阻的同时，高度比通常的0.75mm还要低28%，同时保持相同的PCB布版样式。
针对AC-DC电源应用的600V N沟道高压MOSFET
服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出600V N沟道SuperFET II MOSFET系列产品，帮助设计人员解决这些挑战。
将MOSFET热阻优化至原来小四倍的Dual Cool封装MOSFET
飞兆半导体最新的Dual Cool封装产品,可提升DC-DC电源应用的功率密度和性能，优化后的中压MOSFET的结至环境热阻要比原来小四倍。
4.5V下导通电阻低至20m的功率MOSFET
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET功率MOSFET，器件采用芯片级MICRO FOOT 1mm x1mm和1.6mmx 1.6mm封装，在4.5V下的导通电阻低至20mΩ。
ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计
ST最新功率技术，助力低能耗、高空间效率设计
Vishay扩充功率MOSFET家族，导通电阻低至30mΩ
Vishay大幅扩充 E系列650V N沟道功率MOSFET家族，新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术，导通电阻低至30mΩ、电流达6A～105A，在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
安森美新型MOSFET，LGA封装节省更多空间
安森美半导体推出两款新的新的MOSFET器件，LGA封装MOSFET帮助将空间受限的智能手机及平板电脑应用的能效及电池使用时间提升至极致 ，单节及双节锂离子电池充电/放电保护电路因高性能倒装芯片MOSFET而受益。
飞兆半导体推出卓越开关速度和功耗性能的全新中压MOSFET
许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。
Vishay推出超小尺寸的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用超小尺寸的热增强PowerPAK® SC-70封装的新款双片N沟道TrenchFET®功率MOSFET。Vishay Siliconix SiA936EDJ可在便携式电子产品中节省空间并提高电源效率，在4.5V和2.5V栅极驱动下具有20 V(12V VGS和8V VGS)器件中最低的导通电阻，占位面积为2mm x 2mm。
Vishay发布通过AEC-Q101认证的首颗MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布首颗通过AEC-Q101认证的采用ThunderFET®技术的TrenchFET®功率MOSFET。为提高效率和节省汽车应用里的空间，Vishay Siliconix 100V N沟道SQJ402EP、SQJ488EP和SQD50N10-8m9L提供了PowerPAK® SO-8L和DPAK封装的产品中最低的导通电阻。
Vishay发布非对称双片TrenchFET® Gen IV MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，发布采用PowerPAIR® 3mm x 3mm封装，使用TrenchFET® Gen IV技术的新款30V非对称双片TrenchFET 功率MOSFET。Vishay Siliconix SiZ340DT把高边和低边MOSFET组合在一个小尺寸封装里，导通电阻比前一代同样封装尺寸的器件低57%，功率密度高25%，效率高5%，可节省空间，并简化高效同步降压转换器的设计。
