在新能源汽车渗透率突破35%的产业背景下，强茂电子推出全新60V N通道SGT-MOSFET系列，以 屏蔽栅槽沟技术（SGT） 为核心，实现导通电阻低至1.2mΩ、开关损耗降低57%的性能突破。通过AEC-Q101车规认证与全场景封装方案，该系列器件瞄准车载电源管理、电机驱动及智能驾驶系统，直面英飞凌、安森美等国际大厂的竞争，成为国产车规功率半导体的破局标杆。

产品功能：全场景覆盖的封装矩阵

强茂SGT-MOSFET系列提供五类封装方案，适配不同功率等级与环境需求：

● DFN3333-8L：3.3mm×3.3mm超薄封装，功率密度提升30%，适用于激光雷达供电模块；

● DFN5060-8L/DFN5060B-8L：5mm×6mm中功率封装，支持连续电流60A，用于车载DC-DC转换；

● TO-252AA/TO-220AB-L：高散热能力封装，TO-220AB-L热阻低至1.5℃/W，适配热管理系统中的电机驱动。

技术突破：SGT架构重构性能边界

1. 电场分布优化：
SGT技术通过三维栅极结构均衡电场强度，将开关损耗（Eoss）降低至传统平面MOSFET的43%，效率提升至98%。

2. 关键参数飞跃：

● 总栅极电荷（Qg）：16nC（@VGS=10V），较竞品降低57%；

● 品质因数（FOM=RDS(on)×Qg）：0.85Ω·nC，行业领先；

● 反向恢复电荷（Qrr）：28nC，减少EMI干扰风险。

3. 工艺创新：

● 激光雕刻工艺控制电极精度±5μm；

● 铜夹键合技术降低封装电阻15%。

竞品对比分析：国产替代的技术底气

行业价值：重构供应链成本体系

强茂SGT-MOSFET通过 “性能对标+成本压制”策略 ，直击行业痛点：

● BOM成本降低20%：以国产化生产压缩流通环节费用；

● 开发周期缩短：提供热仿真模型与车载应用参考设计；

● 认证壁垒突破：AEC-Q101认证覆盖-55℃~175℃全温域。

技术难题与解决方案

1. 高温环境下的可靠性挑战：

● 问题：175℃工况下栅极氧化层易失效；

● 方案：采用氮化硅钝化层工艺，MTBF提升至100万小时。

2. 封装应力导致的机械疲劳：

● 问题：温度循环（-40℃↔125℃）引发焊点裂纹；

● 方案：优化DFN封装焊球合金比例（SAC305+1%Bi），抗疲劳寿命提升3倍。

应用场景与市场前景

● 智能驾驶系统：激光雷达供电模块（DFN3333-8L封装，效率>97%）；

● 三电系统：OBC车载充电器（TO-220AB-L封装，支持6.6kW快充）；

● 车身控制：电动尾门驱动（DFN5060-8L封装，峰值电流80A）。

据Yole预测，2025年全球车规MOSFET市场规模将达$82亿，其中60~100V中压器件占比超45%。强茂凭借SGT系列有望在国产替代浪潮中斩获10%以上份额。

未来展望：向SiC与智能化延伸

强茂技术路线图显示：

● 2024年推出120V SGT-MOSFET，适配48V轻混系统；

● 2025年研发集成电流传感器的智能功率模块（IPM）；

● 2026年布局SiC MOSFET，突破800V高压平台市场。

结语：国产功率半导体的升维之战

强茂SGT-MOSFET系列以 “参数对标国际，成本碾压竞品” 的策略，撕开车规功率器件的市场缺口。其技术路径揭示国产替代的核心逻辑——不在单一指标上盲目比拼，而是通过系统级优化（如Qg与封装协同设计）实现综合竞争力跃升。随着汽车电动化渗透率持续提升，具备垂直整合能力的中国厂商将逐步掌握行业话语权。