【导读】全球功率半导体领军企业Vishay Intertechnology（NYSE:VSH）宣布，其TrenchFET® Gen IV系列再添猛将——80V N沟道功率MOSFET SiEH4800EW。这款采用革命性无引线键合（BWL）封装的工业级器件，通过材料科学与拓扑结构的双重创新，实现导通电阻（RDS(on)）较同类产品降低15%、结壳热阻（RthJC）优化18%的突破性进展。在工业自动化、电机驱动等高功率密度场景中，该器件可显著提升系统能效并降低热管理成本，为工业4.0时代的功率转换系统树立全新性能标杆。
全球功率半导体领军企业Vishay Intertechnology（NYSE:VSH）宣布，其TrenchFET® Gen IV系列再添猛将——80V N沟道功率MOSFET SiEH4800EW。这款采用革命性无引线键合（BWL）封装的工业级器件，通过材料科学与拓扑结构的双重创新，实现导通电阻（RDS(on)）较同类产品降低15%、结壳热阻（RthJC）优化18%的突破性进展。在工业自动化、电机驱动等高功率密度场景中，该器件可显著提升系统能效并降低热管理成本，为工业4.0时代的功率转换系统树立全新性能标杆。
技术难题与产品优势
三大技术亮点
1. 导电性能突破
● 第四代沟槽工艺使电子迁移率提升40%
● 0.88mΩ超低导通电阻（实测值比标称低5%）
2. 焊接革命性创新
● 四倍扩增焊盘面积（3.35mm² vs 传统0.8mm²）
● 侧翼吸附焊锡设计使虚焊率下降至0.1ppm
3. 热管理重构
● 铜基板直接键合技术（DBC）降低热阻
● 同等功率下温升较竞品低12℃（实测数据）
竞品性能对比（80V/100A级MOSFET）
*数据来源：Vishay官方Datasheet/Digikey产品库（2023Q4）*
攻克的核心技术难题
1. 热密度陷阱
● 传统封装热堆积导致效率衰减：＞5%@满载
● 解决方案：三维散热通道设计，热流密度降低至15W/cm²
2. 微焊接失效
● PIN焊点电流密度＞200A/mm²引发电迁移
● 创新点：分布式焊盘结构，电流密度压缩至50A/mm²
典型应用场景
● 高可靠性领域
● 工业焊接设备：耐受200A脉冲电流冲击
● 电动车辆BMS：175℃环境持续运行
● 空间敏感场景
● 协作机器人关节驱动器：节省60%电源模块空间
● 3D打印头电源：厚度压缩至10mm内
市场前景
据Yole预测，2025年工业MOSFET市场规模将达$84亿，其中：
● 无引线封装渗透率将从2023年18%升至39%
● 80V中压器件在电机驱动领域年复合增长达14.2%
SiEH4800EW凭借双优势参数，有望在伺服驱动器市场替代率突破25%。
对比表：D2PAK、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW对比
同类最佳 (*)
SiEH4800EW现可提供样品并已实现量产，供货周期为13周。
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