【导读】AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。
AOS推出的AOTL66935采用自主研发的100V AlphaSGT™ MOSFET技术，通过沟槽工艺实现1.95mΩ超低导通电阻（RDS(ON)），同时结合宽范围安全工作区（SOA）设计，显著提升器件在48V热插拔场景下的峰值电流承载能力与可靠性。该技术有效抑制浪涌电流冲击，降低系统并联器件需求，简化电源拓扑。
产品功能：性能与封装双优化
● 电气性能：支持最大连续漏极电流360A（25℃），瞬态电流达1440A，适用于高浪涌场景2。
● 封装创新：采用TO-Leadless（TOLL）封装，占板面积较传统D2PAK封装缩小30%，兼容自动化光学检测（AOI），并计划推出更紧凑的LFPAK8x8封装。
● 认证与可靠性：生产工厂通过IATF 16949认证，确保车规级品质标准。
AI服务器中的 48V 热插拔应用需要 MOSFET 兼具大电流处理能力，同时还要提供卓越的 SOA 稳健性和高可靠性。我们推出的AOTL66935 正是针对这些严苛的应用需求而设计，其低导通电阻不仅能降低功率损耗，还可减少并联器件数量。
—— Peter H. Wilson
MOSFET 产品线资深总监
技术亮点
产品图册
竞品对比分析
行业价值：破解高密度电源设计痛点
● 能效提升：低导通电阻减少功率损耗，系统能效提升5%-8%，助力AI服务器降低运营成本。
● 空间压缩：TOLL封装节省30%PCB面积，适配高密度电源模块设计。
● 可靠性增强：宽SOA特性支持严苛工况下长期稳定运行，MTBF提升至10万小时以上。
技术难题与解决方案
● 浪涌电流冲击：通过优化栅极结构和SOA设计，限制瞬态电流峰值，减少并联器件数量。
● 散热瓶颈：TOLL封装采用顶部散热路径设计，降低FR4基板的热阻，温升控制＜25℃。
● 制造一致性：沟槽工艺结合AOI检测技术，确保器件良率与批次稳定性。
应用场景与市场前景
● 核心场景：AI服务器48V热插拔、通信基站电源、工业设备缓启动模块。
● 市场预测：2025年服务器电源MOSFET市场规模将超20亿美元，高可靠性器件需求年增12%。
未来展望：封装与材料双线迭代
AOS计划基于AlphaSGT™技术推出LFPAK8x8封装产品，进一步缩小体积并提升散热效率。同时，探索碳化硅（SiC）与氮化镓（GaN）材料的集成应用，目标将耐压等级提升至1200V，适配新能源与智能电网领域。
结语
AOTL66935凭借低阻、高可靠、小体积三大优势，重新定义了48V热插拔应用标准。随着AI与通信设备能效需求的升级，该器件有望成为高密度电源设计的核心解决方案，推动行业向高效化、紧凑化加速迈进。
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