【导读】AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——采用非对称梯度掺杂技术，使栅极电荷量（Qg）降低至145nC，同时保持100V/ns的优异di/dt耐受能力。
AOS第三代1200V aSiC MOSFET通过三维材料改性技术实现双重突破：在25℃条件下，15mΩ典型导通电阻较传统硅器件降低62%，而在175℃高温工况下仍能保持85%的初始导通性能。更值得关注的是其开关品质因数（FOM=Rds(on)*Qg）优化至155mΩ·nC，较行业平均水平提升30%。这项突破源于对沟槽栅结构的创新优化——采用非对称梯度掺杂技术，使栅极电荷量（Qg）降低至145nC，同时保持100V/ns的优异di/dt耐受能力。
核心技术：
● 开关品质因数（FOM）提升30%，高频工况损耗降低18%
● 导通电阻（Rds(on)）温度系数改善40%，保障高负载稳定性
● HV-H3TRB耐受时长延长至2000小时（行业标准3倍）
● 栅极氧化层厚度缩减至50nm，开关速度提升至150V/ns
产品功能
竞品对比分析
行业价值
1. 电动汽车领域：支持800V平台主驱逆变器，系统体积缩减25%，续航提升7%
2. 数据中心供电：满足48V转12V高密度电源需求，PUE值优化至1.05以下
3. 可再生能源系统：光伏逆变器MPPT效率突破99%，LCOE降低0.8美分/kWh
技术难题与突破路径
挑战：碳化硅材料缺陷导致的可靠性衰减
● 传统方案：牺牲开关速度换取可靠性
● AOS创新路径：
▶ 原子层钝化技术（界面态密度降低60%）
▶ 双区外延生长（击穿电压均匀性提升35%）
▶ 动态栅极补偿电路（抗串扰能力增强3倍）
电动汽车与AI技术正在重塑产业格局，但这对电力系统提出了更高要求——必须在能源需求激增时仍保持高效运行。我们很高兴新一代αSiC MOSFET在满足客户性能需求的同时，还能为环境保护作出积极贡献。
—— David Sheridan
AOS宽禁带半导体产品副总裁
技术亮点
● 通过汽车级 AEC-Q101 认证
● 栅极驱动电压兼容范围广（+15V 至 +18V）
● 开关品质因数（FOM）提升高达 30%
● 符合增强型高湿高压反偏（HV-H3TRB）测试标准
● 优化雪崩耐量（UIS）与短路耐受能力
应用场景与市场前景
未来展望
AOS计划于2024年Q4推出：
● 表面贴装版本：采用CLTCC封装，热阻降低至0.5℃/W
● 晶圆级集成方案：1200V/6mΩ器件，适配兆瓦级储能变流器
● 智能功率模块：集成自保护功能，故障响应时间<2μs
技术路线图显示：
● 2025年实现2000V SiC MOSFET量产
● 2026年推出双向阻断结构，适配矩阵式转换器
结语
AOS第三代1200V αSiC MOSFET通过材料工艺协同创新，在高压、高频、高可靠性维度建立新标杆。该技术将加速800V电气架构在新能源汽车与数据中心领域的普及，预计带动全球SiC功率器件市场规模在2027年突破$100亿，年复合增长率达29.3%。
推荐阅读：
车规级碳化硅突围！AOS推出aSiC MOSFET破解高压拓扑能效瓶颈
车规级封装革新！Nexperia采用CFP2-HP封装破解小型化散热难题
从数据中心到新能源车：英飞凌JFET技术破解高密度系统散热难题
中电华星CDA06：工业级电源新标杆 破解宽压与电磁兼容双难题
