【导读】AOS推出革命性源极朝下封装MOSFET——AONK40202，通过颠覆性的DFN3.3x3.3封装结构，将25V器件的电流承载能力推至319A巅峰。专为应对AI服务器千瓦级电源挑战，其创新的栅极中置布局与源极直连PCB设计，实现热阻降低40%的同时，为高密度DC-DC电路节省50%布线空间。
产品介绍：重新定义功率密度天花板
AOS推出革命性源极朝下封装MOSFET——AONK40202，通过颠覆性的DFN3.3x3.3封装结构，将25V器件的电流承载能力推至319A巅峰。专为应对AI服务器千瓦级电源挑战，其创新的栅极中置布局与源极直连PCB设计，实现热阻降低40%的同时，为高密度DC-DC电路节省50%布线空间。
核心作用：破解高功率系统的"热-电死循环"
面对AI服务器电源模块＞100A/cm²的电流密度与95℃+的环境温度，传统MOSFET遭遇三大瓶颈：
● 热堆积导致降额使用
● 栅极环路寄生电感制约开关频率
● PCB铜箔利用率不足
AONK40202的破局之道：
1. 热管理革命：源极朝下直触PCB，热阻（RθJA）降至1.5℃/W
2. 电气优化：栅极中置缩短驱动回路50%，开关损耗降低35%
3. 空间重构：3.3mm²占板面积支持300W+功率输出
产品型号解析：毫米级封装蕴藏千安能量
AONK40202性能矩阵
结构性创新：带夹片（Clip）封装技术，实现源极-散热路径零间隔直连
关键竞争力：重新定义功率器件价值公式
1. 功率密度跃升
● 单位面积电流承载：96.5A/mm²（超越行业均值2.1倍）
● 支持4相并联输出＞1200A
2. 能效突破
● 开关损耗Qsw低至48nC（VDS=15V）
● 整机效率提升1.2%（48V-12V转换场景）
3. 系统级成本优化
● 减少散热片用量60%
● PCB层数可从6L减至4L
竞品对比：AI电源MOSFET新标杆
技术代差：
● 源极朝下（SD）VS 漏极朝下（DD）：热性能差距＞80%
● 栅极中置布局：驱动环路电感＜1nH（竞品普遍＞2nH）
应用场景：驱动AI算力爆发式增长
AI服务器电源
● GPU供电：单颗MOSFET支持NVIDIA H100 700W GPU的VRM输入级
● 48V背板：4相并联满足12V/3000A超高电流需求
数据中心基础设施
● 浸没式液冷系统：175℃结温兼容＞90℃冷却液
● 模块化UPS：开关频率提升至1MHz，体积缩小40%
前沿技术延伸
● 电动车OBC：支持22kW快充模块紧凑化设计
● 固态断路器：纳秒级关断能力保障系统安全
服务支持：从芯片到系统的赋能体系
AOS提供AI电源设计加速包：
● 热仿真模型：Flotherm兼容文件预置多相并联场景
● 布线指南：《1MHz高密度布局白皮书》
● 失效分析：动态雪崩测试数据实时共享
供货与部署：即插即用的功率升级方案
● 量产状态：DFN3.3x3.3封装全自动产线已就绪
● 交付周期：样品48小时达，批量订单10天交付
● 生态兼容：兼容TI UCD3138/英飞凌XDP™数字控制器
结语：掀起高密度电源的封装革命
当单机柜功率突破100kW，AONK40202以源极朝下的封装哲学重构功率链路。其不仅解决AI服务器的热窒息难题，更标志着功率半导体从"参数竞赛"迈向"系统协同"的新纪元——在3.3mm²的方寸之间，为算力爆炸时代注入持续动能。
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