MOSFET产品导购分类—电子元件技术网采购中心第16页

Nexperia扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布扩充NextPower 80/100 V MOSFET产品组合的封装系列。此前该产品组合仅提供LFPAK56E封装，而现在新增了LFPAK56和LFPAK88封装设计。这些器件具备高效率和低尖峰特性，适用于通信、服务器、工业、开关电源、快充、USB-PD和电机控制应用。

东芝拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）拓展了其车载-60V P沟道MOSFET的产品线，现已开始量产两款采用SOP Advance(WF)封装的产品： XPH8R316MC和XPH13016MC。

东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺制造而成的100V N沟道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款产品适用于数据中心和通信基站所用的工业设备电源线路上的开关电路和热插拔电路[1]等应用。该产品于今日开始支持批量出货。

英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅（SiC）MOSFET具有高功率密度和效率，能够实现双向充电功能，并显著降低了车载充电（OBC）和DC-DC应用的系统成本。

数字隔离器凭借经过优化的系统物料清单（BOM）、更小的PCB占板面积以及精准的定时特性和低功耗等诸多优点，成为许多现代化设计的首选。此外，数字隔离器还具有更高的共模瞬态抗扰度（CMTI）、经过认证的绝缘寿命、集成功能和输出使能选项。为了满足市场对稳健高压隔离产品日益增长的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了第一代ISOFACE™双通道数字隔离器，这款新器件能够与其他供应商的产品组合实现引脚兼容。

东芝扩展了100V车载N沟道功率MOSFET的产品线

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出两款采用L-TOGL™封装的车载N沟道功率MOSFET产品，满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。这两款产品分别是80V “XPQR8308QB”和100 V “XPQ1R00AQB”。

Diodes推出符合汽车规格的碳化硅 MOSFET 产品，可提升车用子系统效率

Diodes 公司宣布推出 DMWSH120H90SM4Q 和 DMWSH120H28SM4Q 两款符合汽车规格的碳化硅 (SiC) MOSFET，进一步强化宽能隙 (Wide-Bandgap) 产品阵容。此系列 N 信道 MOSFET 产品可满足市场对 SiC 解决方案不断增长的需求，提升电动与混合动力汽车 (EV/HEV) 车用子系统的效率及功率密度，例如电池充电器、车载充电器 (OBC)、高效 DC-DC 转换器、马达驱动器及牵引变流器。

英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用

在静态开关应用中，电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计，同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求，英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结（SJ）MOSFET 的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源（SMPS）、太阳能系统、电池保护、固态继电器（SSR）、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器（PLC）、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和（混动）电动汽车车载充电器等应用。

瑞森半导体超小内阻20mΩ和TO-220F封装70mΩ的超结MOS新品上市

瑞森半导体进一步壮大和完善超结（SJ）MOSFET系列，推出600V超结功率MOSFET---RSF60R070F、RSF60R026W型号。2枚新品各自具备核心优势，为国内少有产品型号，技术领航市场。

ROHM新增5款100V耐压双MOSFET 以小尺寸实现业界超低导通电阻

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向通信基站和工业设备等的风扇电机驱动应用，开发出将两枚100V耐压MOSFET*1一体化封装的双MOSFET新产品。新产品分为“HP8KEx/HT8KEx（Nch+Nch）系列”和“HP8MEx（Nch+Pch*2）系列”两个系列，共5款新机型。

适用于PD3.1标准的芯导科技MOSFET产品

USB Promoter Group在2021年5月26日发布了USB PD3.1，PD3.1将原有PD3.0的标准功率范围扩大至扩展功率范围（EPR），最大功率覆盖可达240W。目前已经有越来越多的客户将产品功率段拓展到EPR。

东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款采用东芝新型S-TOGLTM（小型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”，两款产品于今日开始支持批量出货。

东芝扩展U-MOSX-H系列80V N沟道功率MOSFET产品线，助力降低电源功耗

东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用其最新一代[1]工艺“U-MOSX-H系列”，适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，并扩大了产品线。新产品采用表面贴装式SOP Advance(N)封装，漏源导通电阻(最大值)为“TPH3R008QM”3 mΩ，“TPH6R008QM”6 mΩ，“TPH8R808QM”8.8 mΩ。

东芝开发出业界首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出业界首款[1]2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片，其漏极电流（DC）额定值为250A，适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。

Vishay推出具有业内先进性能水平的新款650V E系列功率MOSFET

美国宾夕法尼亚 MALVERN、中国上海 — 2023年9月4日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型第四代650 V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工业和计算应用能效和功率密度。Vishay Siliconix n沟道 SiHP054N65E导通电阻比前代器件降低48.2%，同时导通电阻与栅极电荷乘积下降59%，该参数是650 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）。

上海雷卯推出稳定性和效率兼备的MOSFET新产品

MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)是一种常用的半导体器件，由源(Source)、漏(Drain)和栅(Gate)三个主要区域组成。依照其“通道”(工作载流子的极性不同，可分为“N型“与“P 型”的两种类型，通又称为 NMOS与 PMOS。

东芝扩展了有助于降低汽车设备功耗的40V N沟道功率MOSFET的产品线

东芝电子元件及存储株式会社(“东芝”)已开始量产3个40 V n沟道mosfet，采用SOP Advance(WF)封装，用于汽车，并扩大了其产品线。这三种型号分别是“XPHR9904PS、XPH2R404PS和XPH3R304PS”。

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