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MOSFET
英飞凌推出采用TOLx 封装的全新车用60V和120V OptiMOS 5系列车用MOSFET
交通系统的电气化进程正在不断加快。除了乘用车外，两轮车、三轮车和轻型汽车也越来越多实现了电气化。因此，由24V-72V电压驱动的车用电子控制单元（ECU）市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）针对这一发展趋势，推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品，进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。
Littelfuse推出首款汽车级PolarP P通道增强模式功率MOSFET
芝加哥2023年10月10日讯-- Littelfuse公司 （NASDAQ: LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力。公司宣布推出首款汽车级PolarP™ P通道功率MOSFET IXTY2P50PA。 这种创新性产品设计可满足汽车应用的苛刻要求，提供卓越的性能和可靠性。
Littelfuse推出采用改进型SOT-223-2L封装的800V N沟道耗尽型MOSFET
芝加哥2023年10月2日讯-- Littelfuse公司 （NASDAQ：LFUS）是一家工业技术制造公司，致力于为可持续发展、互联互通和更安全的世界提供动力，很高兴宣布推出CPC3981Z，一种800V、100mA、45欧姆小功率N沟道耗尽型MOSFET。
圣邦微电子推出 5V，7A/6A，脉宽 1ns 的低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器 SGM48521
圣邦微电子推出 SGM48521，一款 5V，7A/6A，脉宽 1ns 的低侧 GaN 和 MOSFET 驱动器。该器件可应用于便携式设备、智能手机、工业和医疗设备。
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。该产品于今日开始支持批量出货。
Transphorm面向高能耗AI应用场景推出TOLL封装SuperGaN FET
Transphorm推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，与所有Transphorm产品一样，该TOLL封装器件利用了Transphorm常闭型d-mode SuperGaN平台所固有的性能和可靠性优势。是目前快速发展的人工智能(AI)系统最佳解决方案。
基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块
汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。该产品为业内主流DCM封装模块，采用先进的有压型银烧结工艺和高性能粗铜线键合技术，使用氮化硅AMB陶瓷基板，以及直接水冷的PinFin结构。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。
Nexperia首款SiC MOSFET提高了工业电源开关应用的安全性、稳健性和可靠性标准
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并发布两款采用3引脚TO-247封装的1200 V分立器件，RDS(on)分别为40 mΩ 和80 mΩ。NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是Nexperia SiC MOSFET产品组合中首批发布的产品，随后Nexperia将持续扩大产品阵容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封装和表面贴装封装供选择。这次推出的两款器件可用性高，可满足电动汽车(EV)充电桩、不间断电源(UP
英飞凌推出全新62 mm封装CoolSiC产品组合，助力实现更高效率和功率密度
英飞凌科技股份公司近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统IGBT硅技术在这一功率等级应用的的功率密度已达极限值。相比传统的62mm IGBT 模块，其应用范围现已扩展至太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引、商用感应电磁炉和功率转换系统等。
ROHM开发出采用SOT-223-3小型封装的600V耐压Super Junction MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出采用SOT-223-3小型封装（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐压Super Junction MOSFET*1“R6004END4/ R6003KND4 / R6006KND4 / R6002JND4 / R6003JND4”，新产品非常适用于照明用小型电源、电泵和电机等应用。
英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET
数据中心和计算应用对电源的需求日益增长，需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势，推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。
Transphorm推出两款采用4引脚TO-247封装的新型SuperGaN器件
加利福尼亚州戈莱塔 – 2024 年 1 月 17 日 — 全球领先的氮化镓（GaN）功率半导体供应商 Transphorm, Inc.（纳斯达克：TGAN）今日宣布推出两款采用 4 引脚 TO-247 封装（TO-247-4L）的新型 SuperGaN® 器件。新发布的 TP65H035G4YS 和 TP65H050G4YS FET 器件分别具有 35 毫欧和 50 毫欧的导通电阻，并配有一个开尔文源极端子，以更低的能量损耗为客户实现更全面的开关功能。新产品将采用Transphorm成熟的硅衬底氮化镓制
东芝扩展3300V SiC MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）面向工业应用推出集成斩波碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300 V和800 A特征）的模块——“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，这些模块采用第三代SiC MOSFET和SBD芯片。
AOS 推出 95mohm 和 125mohm, 600V 快恢复体二极管aMOS5™ 超结MOSFET
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商（AOS, 纳斯达克代码:AOSL) 推出两款 aMOS5™ 600V FRD 超结 MOSFET。 aMOS5™ 是 AOS 经过市场和应用验证的高压 MOSFET 平台，旨在满足服务器、工作站、电信整流器、太阳能逆变器、电动汽车充电、电机驱动和工业电力应用的高效率和高密度需求。
Vishay推出TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN
日前，威世科技Vishay宣布，推出多功能新型30V n沟道TrenchFET® 第五代功率MOSFET---SiSD5300DN，进一步提高工业、计算机、消费电子和通信应用的功率密度，增强热性能。Vishay Siliconix SiSD5300DN采用源极倒装技术3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-F封装，10V栅极电压条件下导通电阻仅为0.71 mW，导通电阻与栅极电荷乘积，即开关应用中MOSFET关键的优值系数（FOM）为42 mW*nC，达到业内先进水平。
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI（HSD），该系列适用于包括数据中心和光伏功率调节器等应用的开关电源。首批采用TO-247封装的两款650 V N沟道功率MOSFET产品“TK042N65Z5”和“TK095N65Z5”，于今日开始支持批量出货。
三菱电机发布商用手持双向无线电用6.5W硅射频高功率MOSFET样品
三菱电机集团近日（2024年2月27日）宣布，将于2月28日开始提供其新型6.5W硅射频（RF）高功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）样品，用于商用手持式双向无线电（对讲机）的射频高功率放大器。该型号采用3.6V单节锂离子电池，可实现业界先端的6.5W输出功率，有望扩大商用无线电设备的通信范围并降低功耗。
英飞凌推出高密度功率模块，为AI数据中心提供基准性能，降低总体拥有成本
人工智能（AI）正推动全球数据生成量成倍增长，促使支持这一数据增长的芯片对能源的需求日益增加。英飞凌科技股份公司近日推出TDM2254xD系列双相功率模块，为AI数据中心提供更佳的功率密度、质量和总体成本（TCO）。TDM2254xD系列产品融合了强大的OptiMOSTM MOSFET技术创新与新型封装和专有磁性结构，通过稳健的机械设计提供业界领先的电气和热性能。它能提高数据中心的运行效率，在满足AI GPU（图形处理器单元）平台高功率需求的同时，显著降低总体拥有成本。
