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MOSFET
东芝推出采用新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET
中国上海——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布推出采用新型L-TOGL™（大型晶体管轮廓鸥翼式引脚）封装的车载40V N沟道功率MOSFET---“XPQR3004PB”和“XPQ1R004PB”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管
EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设计人员提供比硅 MOSFET 更小和更高效的解决方案，用于车规级激光雷达、48 V/12 V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
EPC新推200 V、10 mΩ、采用QFN封装的GaN FET
宜普电源转换公司(EPC)推出 200 V、10 mΩ的EPC2307，完善了额定电压为 100V、150 V和200 V的6个GaN晶体管系列，提供更高的性能、更小的解决方案和易于设计的DC/DC 转换、AC/DC SMPS和充电器、太阳能优化器和微型逆变器，以及电机驱动器。
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出采用新一代工艺的“U-MOS X-H系列”新产品，扩展了150V N沟道功率MOSFET的产品线。该系列产品适用于通信设备的开关电源等应用。它们是漏源导通电阻为14.1ｍΩ的“TPH1400CQH”和漏源导通电阻为48mΩ的“TPN4800CQH” 。两款产品均采用表面贴装封装。
Nexperia推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出首批80 V和100 V热插拔专用MOSFET(ASFET)，该系列产品采用紧凑型8x8 mm LFPAK88封装，且具有增强安全工作区(SOA)的特性。这些新型ASFET针对要求严格的热插拔和软启动应用进行了全面优化，可在175°C下工作，适用于先进的电信和计算设备。
ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功应用于Apex Microtechnology的工业设备功率模块系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商Apex Microtechnology的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。
东芝推出150V N沟道功率MOSFET，有助于提高电源效率
中国上海，2023年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代[1]U-MOSX-H工艺，可用于工业设备开关电源，涵盖数据中心和通信基站等电源应用。该产品于今日开始支持批量出货。
ROHM推出600V耐压Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）在其600V耐压Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS™”产品阵容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新产品，非常适用于冰箱和换气扇等对低噪声特性要求很高的小型电机驱动。
贸泽即日起备货安森美EliteSiC碳化硅解决方案
2023年4月12日 – 专注于引入新品的全球半导体和电子元器件授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货安森美 (onsemi) EliteSiC碳化硅 (SiC) 系列解决方案。EliteSiC产品系列包括二极管、MOSFET、IGBT和SiC二极管功率集成模块 (PIM)，以及符合AEC-Q100标准的器件。这些器件经过优化，可为能源基础设施和工业驱动应用提供高可靠性和高性能。
Diodes推出功率密度更高的工业级碳化硅 MOSFET
Diodes 公司 推出碳化硅 (SiC) 系列最新产品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。这款装置可以满足工业马达驱动、太阳能逆变器、数据中心及电信电源供应、直流对直流 (DC-DC) 转换器和电动车 (EV) 电池充电器等应用，对更高效率与更高功率密度的需求。
ROHM开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET，有助于提高应用设备工作效率
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1产品（40V/60V/80V/100V/150V），这些产品非常适合驱动以24V、36V、48V级电源供电的应用，例如基站和服务器用的电源、工业和消费电子设备用的电机等。
Nexperia推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode（增强型）功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件，从GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。
三菱电机开始提供集成SBD的SiC-MOSFET模块样品
三菱电机宣布将于5月31日开始提供一款新型集成SBD*1的SiC*2-MOSFET*3模块样品，该半桥模块额定电压为3.3kV，绝缘耐压为6.0kVrms。将有助于为铁路、电力系统及大型工业变流系统提供更大功率密度、更高效率和可靠性。该产品正在PCIM Europe 2023（5月9-11日，德国纽伦堡）上展出。
基本半导体发布第二代碳化硅MOSFET系列新品
5月9-11日，基本半导体再度亮相全球最大功率半导体展会——PCIM Europe 2023，在德国纽伦堡正式发布第二代碳化硅MOSFET新品。新一代产品性能大幅提升，产品类型进一步丰富，助力新能源汽车、直流快充、光伏储能、工业电源、通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
英飞凌推出面向汽车应用的新型 OptiMOS 7 40V MOSFET系列
英飞凌科技股份公司推出 OptiMOS™ 7 40V MOSFET 系列。作为英飞凌最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS™ 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有显著的性能优势。
东芝推出具有更低导通电阻的小型化超薄封装共漏极MOSFET
中国上海，2023年5月18日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出额定电流为20A的12V共漏极N沟道MOSFET“SSM14N956L”，该器件可用于移动设备锂离子（Li-ion）电池组中的电池保护电路。该产品于今日开始支持批量出货。
三菱电机成功开发基于新型结构的SiC-MOSFET
三菱电机集团近日（2023年6月1日）宣布，其开发出一种集成SBD的SiC-MOSFET新型结构，并已将其应用于3.3kV全SiC功率模块——FMF800DC-66BEW，适用于铁路、电力系统等大型工业设备。样品于5月31日开始发售。该新结构芯片有望帮助实现铁路牵引等电气系统的小型化和节能化，促进直流输变电的普及，从而为实现碳中和做出贡献。
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1，进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。该器件采用超级结结构，耐压600V，适用于数据中心、开关电源和光伏发电机功率调节器。该新产品是东芝DTMOSVI系列中的首款600V产品，于今日开始批量出货。
