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MOSFET
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2，推动低碳化的高性能系统
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。
Vishay推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新型80 V对称双通道n沟道功率MOSFET---SiZF4800LDT，将高边和低边TrenchFET® Gen IV MOSFET组合在3.3 mm x 3.3 mm PowerPAIR® 3x3FS单体封装中。Vishay Siliconix SiZF4800LDT适用于工业和通信应用功率转换，在提高功率密度和能效的同时，增强热性能，减少元器件数量并简化设计。
英飞凌推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V
英飞凌科技股份公司推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
英飞凌全新CoolSiC™ MOSFET 750 V G1产品系列推动汽车和工业解决方案的发展
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。
英飞凌推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET，以更高的功率密度和效率树立行业新标准
英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产
意法半导体车规MDmesh DM9超结MOSFET提升硅片能效
这些硅基晶体管具有出色的单位芯片面积导通电阻RDS(on)和非常低的栅极电荷，兼备很低的能量损耗和优异的开关性能，同时，品质因数成为新的市场标杆。与上一代产品相比，意法半导体最新的MDmesh DM9 技术确保栅源阈值电压(VGS(th)) 分布更窄，使开关波形更加锐利，导通和关断损耗更低。
东芝扩展1700V碳化硅MOSFET模块的产品线，有助于工业设备的高效化和小型化
东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）扩大其产品线，开始量产第3代碳化硅（SiC）1700 V、额定漏极电流（DC）为250 A且适用于工业设备的碳化硅MOSFET模块“MG250V2YMS3”。
艾为电子推出低导通阻抗高可靠性锂电池充电保护MOSFET
手机在我们工作和生活中扮演了非常重要的角色，随着手机屏幕亮度和刷新率的提高。手机续航问题已成了当前用户的一个痛点，为了缓解这个问题。快充在手机中快速普及，充电功率高达上百瓦。
Vishay推出小型顶侧冷却PowerPAK®封装的600 V E系列功率MOSFET
日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出首款采用新型PowerPAK® 8 x 8LR封装的第四代600 V E系列功率MOSFET---SiHR080N60E，为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。与前代器件相比，Vishay Siliconix n沟道SiHR080N60E导通电阻降低27 %，导通电阻与栅极电荷乘积，即600 V MOSFET在功率转换应用中的重要优值系数（FOM）下降60 %，额定电流高于D2PAK
Nexperia出色的SiC MOSFET分立器件采用越来越受欢迎的D2PAK-7封装
Nexperia今天宣布，公司现推出业界领先的1200 V碳化硅(SiC) MOSFET，采用D2PAK-7表面贴装器件(SMD)封装，有30、40、60和80 mΩ RDSon值可供选择。这是继Nexperia于2023年底发布两款采用3引脚和4引脚TO-247封装的SiC MOSFET分立器件之后的又一新产品，它将使其SiC MOSFET产品组合迅速扩展到包括RDSon值为17、30、40、60和80 mΩ 且封装灵活的器件。
纳微发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列
纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）正式发布第三代快速（G3F）650V和1200V碳化硅MOSFETs产品系列，为实现最快的开关速度、最高的效率和功率密度的增进进行优化，将应用于AI数据中心电源、车载充电器（OBCs）、电动汽车超级充电桩以及太阳能/储能系统（ESS）。产品涵盖了从D2PAK-7到TO-247-4的行业标准封装，专为要求苛刻的高功率、高可靠性应用而设计。
ROHM开发出新型二合一 SiC封装模块——TRCDRIVE pack™
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品（750V 2个型号：BSTxxxD08P4A1x4，1,200V 2个型号：BSTxxxD12P4A1x1）。TRCDRIVE pack™的功率密度高，并采用ROHM自有的引脚排列方式，有助于解决牵引逆变器面临的小型化、效率提升和减少工时等主要课题。
三菱电机推出两款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模块
三菱电机集团近日（2024年6月10日）宣布，从6月10日起开始为包括铁路和电力系统在内的大型工业设备提供低电流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基势垒二极管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模块。与现有的3.3kV/800A模块一起，新命名的Unifull™系列包含3款产品，以满足大型工业设备对能够提高功率输出和功率转换效率的逆变器日益增长的需求。该产品正在PCIM Europe 2024（6月11-13日，德国纽伦堡）上展出。
英飞凌推出TOLT和Thin－TOLL封装的新型工业CoolSiC MOSFET 650 V G2
在技术进步和低碳化日益受到重视的推动下，电子行业正在向结构更紧凑、功能更强大的系统转变。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX：IFNNY）推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封装正在积极支持并加速这一趋势。这些产品能够更大程度地利用PCB主板和子卡，同时兼顾系统的散热要求和空间限制。目前，英飞凌正在通过采用 Thin-TOLL 8x8 和 TOLT 封装的两个全新产品系列，扩展其 CoolSiC™ MOSFET分立式半导体器件 650 V产品组合。这两个产品系列基于CoolSiC™
英飞凌推出集成高精度温度传感器的新型600 V CoolMOS S7TA MOSFET
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出适用于汽车功率管理应用的600 V CoolMOS™ S7TA超级结MOSFET。S7TA专为满足汽车电子部件的特殊要求而设计，其集成温度传感器在工业应用同类产品（CoolMOS™ S7T）取得的进步基础上，显著提高了结温传感的精度，因此具有诸如更高的耐用性、安全性和效率等对于汽车领域至关重要的优势。
英飞凌推出CoolSiC MOSFET 400 V，重新定义AI服务器电源的功率密度和效率
随着人工智能（AI）处理器对功率的要求日益提高，服务器电源（PSU）必须在不超出服务器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率，这主要是因为高级GPU的能源需求激增。到本十年末，每颗高级GPU芯片的能耗可能达到2千瓦或以上。这些需求以及更高要求的应用和相关特定客户需求的出现，促使英飞凌科技股份公司开发电压650 V以下的SiC MOSFET产品。现在，英飞凌基于今年早些时候发布的第二代（G2）CoolSiCTM技术，推出全新CoolSiC™ MOSFET 400 V系列。全新MOSFET产品组合专为AI服务器的
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET
专注于引入新品的全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌公司的CoolSiC™ G2 MOSFET。CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。
Nexperia最新扩充的NextPower 80/100V MOSFET产品组合
Nexperia近日宣布，公司正在持续扩充其NextPower 80 V和100 V MOSFET产品组合，并推出了几款采用行业标准5x6 mm和8x8 mm尺寸的新型LFPAK器件。这些新型NextPower 80/100 V MOSFET针对低RDS(on)和低Qrr进行了优化，可在服务器、电源、快速充电器和USB-PD等各种应用以及各种电信、电机控制和其他工业设备中提供高效率和低尖峰。设计人员可以从80 V和100 V器件中进行选择，RDS(on)选型从1.8 mΩ到15 mΩ不等。
