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MOSFET
Littelfuse推出超低导通电阻1200V碳化硅MOSFET
Littelfuse, Inc.与从事碳化硅技术开发的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出两款1200V碳化硅(SiC) n通道增强型MOSFET，为其日益扩展的第一代电源半导体器件组合注入新鲜血液。 Littelfuse与Monolith在2015年结成战略合作关系，旨在为工业和汽车市场开发电源半导体。这种新型碳化硅MOSFET即为双方联手打造的最新产品。 这些产品在应用电力电子会议（APEC 2018）的Littelfuse展位亮相。
NextPower 100V 功率 MOSFET 具低 Qrr 值和175°C 高温指标
Nexperia (其前身为恩智浦的标准产品部门) 今天宣布推出其功率 MOSFET 产品NextPower 100 V 系列。该产品系列具备低反向恢复电荷 (Qrr)，且包括以 LFPAK56 (PowerSO8) 封装（结温可达到175°C）的器件。新一代器件改善了开关效率，提高了可靠性并降低了 EMI.
东芝推出采用新型封装的汽车用40V N沟道功率MOSFET
东芝已推出两款采用小型低电阻SOP Advance (WF)封装的新MOSFET产品——“TPHR7904PB”和“TPH1R104PB”，这两款产品是汽车用40V N沟道功率MOSFET系列的最新产品。批量生产即日启动。
UnitedSiC推出UJ3C1200系列碳化硅结型场效应晶体管
功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET）共源共栅（cascodes）来升级现有系统的性能。
Nexperia 推出最低0.9 mΩ RDS(on) 的汽车级 MOSFET
Nexperia宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范，第9代Trench技术，40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装，与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比，减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ，额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用，与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比，成本更低。
Nexperia 推出能改善爬电距离与电气间隙的 LFPAK56 MOSFET
Nexperia今日宣布 MOSFET 的LFPAK56封装系列中的两款器件目前已可投入使用， 其经改善的爬电距离与电气间隙满足额定电压在 15V 到 32V 之间的电池供电设备的 UL2595 要求。 器件与行业标准的 Power-SO8 占用空间 100% 兼容；尚无其它紧致表面安装器件能满足要求源极端头和漏极端头之间最小爬电距离与电气间隙为 1.5mm 的 UL2595 标准。
Diodes Incorporated 推出脱机式变压器专用的小型同步整流 MOSFET 驱动器
Diodes Incorporated今日宣布推出 APR346 二次侧同步整流 MOSFET 驱动器，可将 AC 电源转成 DC 电源，提供5V 至 20V 的电压，提升脱机式变压器的效率。
东芝推出紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布面向汽车用三相无刷电机推出一款全新的紧凑型功率MOSFET栅极驱动器智能功率器件(IPD)。该器件适用于汽车用电机驱动器应用，例如，12V电动助力转向系统(EPS)、油泵/水泵、风扇电机和电动涡轮增压器。
东芝开发出散热性能更强的40V N沟道功率MOSFET
八月，东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）将启动面向汽车应用的40V N沟道功率MOSFET——“TPWR7904PB”和“TPW1R104PB”的量产和出货。其采用双面散热、低电阻、小型DSOP Advance(WF)封装。
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出新系列的下一代650V功率MOSFET，用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
英飞凌新推950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件,支持功率因数校正和反激拓扑
英飞凌推出CoolMOS™ P7系列的新成员950 V CoolMOS P7超结MOSFET器件。该器件甚至能达到最严格的设计要求：用于照明、智能电表、移动充电器、笔记本适配器、AUX电源和工业SMPS应用。这种全新半导体解决方案能实现出色的散热性能及能源效率，减少用料并降低总生产成本。
Nexperia 微型无引脚封装的新型 175°C AEC-Q101 MOSFET 可实现自动光学检测
Nexperia公司今日宣布推出业界首款符合 AEC-Q101 标准的 MOSFET，额定工作温度高达 175°C，并采用了兼容 AOI 的 DFN2020 封装（DFN = 分立扁平无引脚）。而且，这些新器件的尺寸仅为 2 mm x 2 mm，比 SOT223 和 SO8 封装更小更轻，但具有类似的电气和热性能。
Littelfuse宣布推出1700V、1 Ohm碳化硅MOSFET
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
Central Semiconductor公司推出CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET
Central Semiconductor公司推出了CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET，型号包括CMLDM7002A、CMLDM7002AG和CMLDM7002AJ。其漏源电压为60V，额定漏极电流为280mA，峰值漏极电流最大为1.5A，额定功率损耗为350mW，可减少器件在工作时的发热量。CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET提供低RDS（ON）和VDS（ON）。在VGS=10V, ID=500mA时RDS最大仅为2Ω，VDS（ON）最大仅为1V。可
UnitedSiC推出第3代1200V和650V碳化硅JFET
碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，扩展了现有的独特常开启型SiC JFET产品组合。新发布的第三代器件编号为UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有这些可选器件均采用方便的TO-247-3L封装。
TI推出新型即用型600V氮化镓场效应晶体管功率级产品组合
德州仪器（TI）近日宣布推出支持高达10kW应用的新型即用型600 V氮化镓（GaN），50mΩ和70mΩ功率级产品组合。与AC/DC电源、机器人、可再生能源、电网基础设施、电信和个人电子应用中的硅场效应晶体管（FET）相比，LMG341x系列使设计人员能够创建更小、更高效和更高性能的设计。
UnitedSiC发布全新UF3C FAST 碳化硅FET系列产品
碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出采用标准TO-247-3L封装的UF3C FAST系列650V和120 V高性能碳化硅FET。与现有的UJC3系列相比，FAST系列具有更快的开关速度和更高的效率水平。
瑞萨电子推出汽车应用级的100V、4A半桥N-MOSFET系列驱动器---ISL784x4
瑞萨电子今日宣布推出全新汽车应用级的100V、4A半桥N-MOSFET系列驱动器---ISL784x4。ISL784x4系列驱动器包括三个型号：ISL78424、ISL78444（三态电平PWM 输入，高边和低边驱动输出）和ISL78434（高边和低边驱动独立输入和输出）。
