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Nexperia 推出最低0.9 mΩ RDS(on) 的汽车级 MOSFET

发布时间:2018-06-08 责任编辑:wenwei

【导读】Nexperia宣布推出本公司最低Rds(on)的汽车级MOSFET。符合AEC-Q101规范,第9代Trench技术,40 V汽车级超级结 MOSFET 采用了坚固耐用、高电与热效率的LFPAK56E封装,与传统的裸片模块、D2PAK 或 D2PAK-7 器件相比,减少了高达81%的占用空间。这款导通内阻0.9 mΩ,额定直流电流220A的 BUK9J0R9-40H MOSFET 适用于功率高达 1.2 kW 的应用,与之前最佳的解决方案 D2PAK 器件相比,成本更低。
 
Nexperia 推出最低0.9 mΩ RDS(on) 的汽车级 MOSFET
 
除了降低 RDS(on) ,这款新器件还将直流电流额定值增加到 220 A – 这对于汽车级 Power-SO8 封装尺寸的器件而言尚属首次。它可在较小的占用空间里实现更高的功率密度,这对于需要双冗余电路的安全攸关汽车应用特别有用。超级结技术的使用提供了更高的抗雪崩能力和更大的安全工作区间,改善了在故障情况下应用的性能表现。
 
产品营销经理 Norman Stapelberg 评论道:“Nexperia 是唯一一家拥有低压超级结 MOSFET 平台的公司。就整体可靠性和性能而言,Nexperia 是市场领导者 - 坚固耐用的 Trench 9 超级结技术与超级强劲的 LFPAK56 和 LFPAK56E 封装相结合,可使工程师放心地将该器件用于其安全攸关设计中。”
 
LFPAK56 Trench 9 MOSFET 可轻松并联使用于高电流应用。该器件符合各种汽车功能的需要,例如动力转向应用中的电机控制(有刷与无刷)、变速箱控制、ABS防抱死系统、ESC电子稳定控制系统、泵(水、油和燃料)、风扇转速控制、反向电池保护和直流-直流变换器。
 
 
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