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MOSFET
EPC推出80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管
宜普电源转换公司（EPC）进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管，该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。
Nexperia LFPAK MOSFET系列全新8 x 8 mm器件使得功率密度提高达48倍
Nexperia——分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合，可产生 40 V MOSFET，且提供 0.7 mΩ 的较低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了较大的功率封装，如 D²PAK 和 D²PAK-7。8 x 8 mm 的尺寸使得占位面积减少了 60％，外形尺寸减小了 64％。
UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET
2018年5月7日，美国新泽西州普林斯顿，德国纽伦堡（Nuremberg） --- 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
PI推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器
碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能，能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。 不过，SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护，这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。
特瑞仕扩大了MOSFET产品阵容XP236N2001TR、XP264N0301TR
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了作为MOSFET的新系列产品XP236N2001TR和XP264N0301TR。
CISSOID推出新款高温栅极驱动器、碳化硅器件及功率模块
各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID，在2019年欧洲功率电子及智能传动产品展览会(PCIM 2019)上展示了最新的高温栅极驱动器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模块。PCIM 2019是全球领先的电力电子、智能传动、可再生能源和能源管理展览及会议。
英飞凌联手Schweizer开发出新技术芯片嵌入式功率MOSFET
英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术：芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48 V系统的性能，同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事业群将是首家采用这项技术的企业。
英飞凌加速推出 CoolSiC MOSFET 1200V 单管新产品
英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新产品。新产品导通电阻从30 mΩ到350 mΩ不等，拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外，表面贴封装（SMD）和CoolSiC™ MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品，英飞凌可满足功率转换应用——譬如电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及服务器和电信设备开关电源（SMPS）——对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。
Microchip推出SiC产品，助力打造可靠的高压电子设备
Microchip通过其子公司Microsemi（美高森美）宣布推出一系列SiC功率器件。该系列器件具有良好的耐用性，以及宽带隙技术优势。它们将与Microchip各类单片机和模拟解决方案形成优势互补，加入Microchip不断壮大的SiC产品组合，满足电动汽车和其他大功率应用领域迅速发展的市场需求。
特瑞仕扩大了MOSFET产品阵容XP23系列、XP26系列
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了4种XP23系列（30V耐压）产品、3种XP26系列（60V耐压）产品作为MOSFET的新产品。
儒卓力提供具有最高功率密度和效率的英飞凌OptiMOS 功率MOSFET
英飞凌OptiMOS™ 3和5同类最佳(BiC)功率MOSFET采用节省空间的SuperSO8封装，与先前型号相比，具有更高的功率密度和稳健性，从而降低系统成本和提升整体性能。
ROHM开发出确保安装可靠性的车载用超小型MOSFET“RV4xxx系列”
ROHM开发出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，该系列产品可确保部件安装后的可靠性，且符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101，是确保车规级品质的高可靠性产品。另外，产品采用了ROHM独有的封装加工技术，非常有助于对品质要求高的高级驾驶辅助系统（ADAS）摄像头模块等汽车电子的小型化。
Vishay推出新款60 V MOSFET是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件
日前，Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
罗姆利用可湿面板成型技术开发出汽车级超紧凑MOSFET
肖特基势垒二极管（SBD）常用于高级驾驶辅助系统（ADAS）相机模块的反向连接保护电路中。但由于车辆系统中高分辨率相机所需的电流较大，因此SBD越来越多地被紧凑型MOSFET取代，这种MOSFET具有低导通电阻和低发热量。
特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容 XP23系列
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了3种MOSFET新产品--XP23系列（-30V耐压）。
Diodes推出微型车用 MOSFET，可提供更高的功率密度
Diodes 公司今日宣布推出额定 40V 的 DMTH4008LFDFWQ 及额定 60V 的 DMTH6016LFDFWQ，两者均为符合车用规范的 MOSFET，采用 DFN2020 封装。这两款微型 MOSFET 仅占较大封装 (例如 SOT223) 10% 的 PCB 区域，可在直流对直流 (DC-DC) 转换器、LED 背光、ADAS 及其他「引擎盖下」的汽车应用之中，提供更高的功率密度。
ROHM开发出采用4引脚封装的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都），开发出6款沟槽栅结构※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”产品（650V／1200V耐压），非常适用于要求高效率的服务器用电源、太阳能逆变器及电动汽车的充电站等。
特瑞仕扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP231N0201TR
特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。
