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MOSFET
紧凑型CCPAK1212封装：Nexperia 100V MOSFET助力电动车轻量化设计
Nexperia近日宣布推出其符合AEC-Q101标准的全新100 V MOSFET产品。该器件采用了创新的CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装技术，将卓越的功率处理能力浓缩于紧凑空间内。其核心亮点在于实现了低至0.99mΩ的超低导通电阻（RDS(on)），能够安全承载超过460A的电流，为48V汽车电气架构的高功率密度设计树立了新基准。
突破多电平电路设计瓶颈：ROHM新型SiC模块实现2.3倍功率密度提升
全球知名半导体制造商ROHM（罗姆）近日宣布推出其新型二合一结构的SiC模块“DOT-247”。该模块在保留传统TO-247封装通用性的同时，通过创新的封装设计，显著提升了功率密度和设计灵活性。新产品非常适合光伏逆变器、UPS（不间断电源）和半导体继电器等工业设备应用场景，并计划拓展至汽车电子领域。
英飞凌推出75mΩ CoolSiC™ G2 MOSFET：以TSC/BSC散热灵活性应对紧凑型SMPS挑战
英飞凌科技（Infineon Technologies）近日宣布扩展其CoolSiC™ 650V G2系列碳化硅（SiC）MOSFET产品线，新增75mΩ导通电阻（RDS(on)）规格型号。该器件提供多样封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4，全面支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案。新品基于第二代CoolSiC技术，旨在为AI服务器电源、可再生能源系统、电动汽车充电桩等中高功率应用提供更高功率密度和卓越的散热灵活性。
突破效率瓶颈！东芝第三代650V SiC MOSFET实现工业设备功率密度新提升
东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布，推出三款采用表面贴装TOLL封装的650V碳化硅（SiC）MOSFET器件——TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C 。这些新产品搭载了东芝最新的第三代SiC MOSFET芯片，旨在满足工业应用对更高效率和功率密度的需求，并已开始批量出货 。
提升电源密度新选择：东芝100V MOSFET助力高效DC-DC转换器设计
东芝电子元件及存储装置株式会社于2025年9月25日宣布推出采用最新一代U-MOS11-H工艺制造的100V N沟道功率MOSFET——TPH2R70AR5。这款MOSFET显著降低了漏源导通电阻（RDS(ON)）和总栅极电荷（Qg），其RDS(ON)最大值仅为2.7mΩ，Qg典型值为52nC。产品采用紧凑的SOP Advance (N)封装（5.15mm x 6.1mm），主要面向数据中心、通信基站等工业设备的开关电源应用，并已于发布当日开始正式出货。
龙腾半导体LSB65R099HP系列MOSFET：99mΩ导通电阻助力高效LLC谐振变换
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET系列产品，包括LSB65R099HP和LSD65R099HP两个型号。该产品采用先进的PT工艺技术，并内置快恢复二极管（FRD）。其核心亮点在于优异的反向恢复电荷（Qrr） 和反向恢复时间（Trr） 表现，以及极低的栅极电荷（Qg），旨在显著提升LLC谐振拓扑等高频开关应用的效率和功率密度。
