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MOSFET
紧凑型CCPAK1212封装：Nexperia 100V MOSFET助力电动车轻量化设计
Nexperia近日宣布推出其符合AEC-Q101标准的全新100 V MOSFET产品。该器件采用了创新的CCPAK1212（12 x 12毫米）铜夹封装技术，将卓越的功率处理能力浓缩于紧凑空间内。其核心亮点在于实现了低至0.99mΩ的超低导通电阻（RDS(on)），能够安全承载超过460A的电流，为48V汽车电气架构的高功率密度设计树立了新基准。
突破多电平电路设计瓶颈：ROHM新型SiC模块实现2.3倍功率密度提升
全球知名半导体制造商ROHM（罗姆）近日宣布推出其新型二合一结构的SiC模块“DOT-247”。该模块在保留传统TO-247封装通用性的同时，通过创新的封装设计，显著提升了功率密度和设计灵活性。新产品非常适合光伏逆变器、UPS（不间断电源）和半导体继电器等工业设备应用场景，并计划拓展至汽车电子领域。
英飞凌推出75mΩ CoolSiC™ G2 MOSFET：以TSC/BSC散热灵活性应对紧凑型SMPS挑战
英飞凌科技（Infineon Technologies）近日宣布扩展其CoolSiC™ 650V G2系列碳化硅（SiC）MOSFET产品线，新增75mΩ导通电阻（RDS(on)）规格型号。该器件提供多样封装选择，包括TOLL、ThinTOLL 8x8、TOLT、D2PAK、TO247-3及TO247-4，全面支持顶部冷却（TSC）与底部冷却（BSC）两种散热方案。新品基于第二代CoolSiC技术，旨在为AI服务器电源、可再生能源系统、电动汽车充电桩等中高功率应用提供更高功率密度和卓越的散热灵活性。
突破效率瓶颈！东芝第三代650V SiC MOSFET实现工业设备功率密度新提升
东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布，推出三款采用表面贴装TOLL封装的650V碳化硅（SiC）MOSFET器件——TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C 。这些新产品搭载了东芝最新的第三代SiC MOSFET芯片，旨在满足工业应用对更高效率和功率密度的需求，并已开始批量出货 。
提升电源密度新选择：东芝100V MOSFET助力高效DC-DC转换器设计
东芝电子元件及存储装置株式会社于2025年9月25日宣布推出采用最新一代U-MOS11-H工艺制造的100V N沟道功率MOSFET——TPH2R70AR5。这款MOSFET显著降低了漏源导通电阻（RDS(ON)）和总栅极电荷（Qg），其RDS(ON)最大值仅为2.7mΩ，Qg典型值为52nC。产品采用紧凑的SOP Advance (N)封装（5.15mm x 6.1mm），主要面向数据中心、通信基站等工业设备的开关电源应用，并已于发布当日开始正式出货。
龙腾半导体LSB65R099HP系列MOSFET：99mΩ导通电阻助力高效LLC谐振变换
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET系列产品，包括LSB65R099HP和LSD65R099HP两个型号。该产品采用先进的PT工艺技术，并内置快恢复二极管（FRD）。其核心亮点在于优异的反向恢复电荷（Qrr） 和反向恢复时间（Trr） 表现，以及极低的栅极电荷（Qg），旨在显著提升LLC谐振拓扑等高频开关应用的效率和功率密度。
并联性能飞跃：Nexperia ASFET实现电流均衡，提升系统可靠性
全球基础半导体器件领域的领先企业Nexperia（安世半导体）近日宣布，为其应用专用MOSFET (ASFET) 产品组合新增两款重磅产品：80 V PSMN1R9-80SSJ 与 100 V PSMN2R3-100SSJ。这两款器件凭借增强的动态均流功能，专为需要并联MOSFET的高功率48 V应用而优化，旨在解决长期以来困扰工程师的并联电流失衡问题，可显著提升系统可靠性并降低设计复杂度。
高性能国产MOSFET：圣邦微SGMNQ12340赋能高频电源设计
圣邦微电子（SGMICRO）近期推出了SGMNQ12340，这是一款40V耐压的N沟道MOSFET，采用紧凑的TDFN-2×2封装。该产品以13mΩ（典型值）的超低导通电阻、8.5nC的低栅极电荷以及9A的连续漏极电流为核心优势，旨在提升VBUS过压保护、AMOLED显示控制、电池管理及DC/DC转换器等场景的能效与功率密度。
厚度减半性能倍增，ROHM超薄SiC MOSFET解决空间与散热难题
全球知名半导体制造商ROHM（罗姆半导体）近日宣布，已开始量产采用TOLL（TO-LeadLess）封装的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列产品。与同等规格的传统TO-263-7L封装产品相比，新封装不仅体积更小更薄，还实现了约39%的散热性提升，完美平衡了功率密度与散热需求。该系列提供750V高耐压和13mΩ至65mΩ的导通电阻范围，非常适用于服务器电源、储能系统及超薄电源等工业设备。
尺寸缩小，性能不减：ROHM 100V MOSFET引领高密度电源新趋势
ROHM公司最新推出的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”，以业界领先的宽SOA（安全工作区）范围和仅5.0mm×6.0mm的紧凑尺寸，为48V供电的AI服务器和工业设备提供了突破性的电源解决方案。
告别复杂并联！Littelfuse 480A超导MOSFET发布，大幅简化大电流设计
Littelfuse近日宣布，推出其新一代 X4级超级结功率MOSFET——MMIX1T500N20X4。该器件凭借200V耐压、480A额定电流及1.99mΩ的超低导通电阻，树立了中低压大电流应用的新性能标杆。其创新的 SMPD-X陶瓷隔离封装与顶部散热设计，为解决功率密集型系统的效率、热管理及空间布局挑战提供了突破性解决方案。
为发烧硬件“退烧”！长晶科技发布新一代MOSFET实现效率与温控双突破
作为国内领先的半导体器件厂商，长晶科技近日正式发布了基于其第二代屏蔽栅沟槽（SGT Gen2.0）工艺的30V MOSFET产品系列。这一突破性技术不仅实现了关键性能指标的大幅跃升，更在PC主板DC-DC同步降压电路中展现出能效与温控的显著优势，为核心硬件“降温增效”提供了国产高性能方案，标志着其产品实力已达到国际一线水平。
导通电阻低至4mΩ！英飞凌扩展750V SiC MOSFET组合助力电动汽车与充电设施技术迭代
全球功率系统和物联网领域的半导体巨头英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY），在半导体领域持续发力，推出了全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 系列。这一系列产品的问世，目标明确，旨在为汽车和工业电源应用带来超高系统效率和功率密度，助力相关行业迈向新的发展阶段。目前，该系列提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装形式，产品组合丰富，在 25°C 情况下，典型导通电阻（RDS(on)）值覆盖 60 mΩ，满足不同应用场景的需求。
指尖大小的精准监测！Senseair S12 微型 CO₂传感器全新亮相
在室内空气质量重视度提升与传感器市场持续扩容的背景下，行业对CO₂传感器的小型化、低功耗、长期稳定性提出更高要求。全球气体传感技术专家Senseair顺势推出指尖大小的S12微型CO₂传感器，该产品基于LED的NDIR技术打造，集超小体积、超低功耗、高精度测量等多重优势于一体，不仅适配规模化量产与各类嵌入式应用需求，还符合多项国际室内空气质量标准，重新定义了微型CO₂传感器的性能标准，也为绿色建筑、新风系统、物联网设备等领域的室内空气质量监测提供了高可靠性的解决方案。
