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Vishay新款20V芯片级MOSFET可帮助便携应用延长电池工作时间

Vishay新款20V芯片级MOSFET可帮助便携应用延长电池工作时间

日前,Vishay宣布,推出新的TrenchFET® 20V N沟道MOSFET---Si8410DB,采用芯片级MICRO FOOT®封装,高度只有0.54mm,在小尺寸1mm2占位的20V器件中具有最低的导通电阻,在可穿戴设备、智能手机、平板电脑和固态驱动器中节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。

英飞凌推出能效>95%的OptiMOS 5 25V和30V产品家族

英飞凌推出能效>95%的OptiMOS 5 25V和30V产品家族

英飞凌近日推出了OptiMOS™ 5 25V和30V产品家族,它们是采用标准分立式封装的新一代功率MOSFET,可为稳压器解决方案提供最高功率密度。

Vishay发布首颗完全无铅可在汽车应用的MOSFET

Vishay发布首颗完全无铅可在汽车应用的MOSFET

日前,Vishay发布新的8mm x 8mm x 1.8mm PowerPAK® 8x8L封装40V TrenchFET®功率MOSFET-SQJQ402E,目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装,实现大电流,并能节省空间和功耗的方案。

Fairchild新出SuperFET II MOSFET和高压整流器,推动电动车辆设计

Fairchild新出SuperFET II MOSFET和高压整流器,推动电动车辆设计

Fairchild正在满足车辆制造商和零配件供应商的高级需求,其新的SuperFET® II MOSFET和高压整流器产品系列有助于打造更清洁、更智能的车辆,在提高设计额定值的同时兼顾性能和可靠性,是额定功率不断提高的车载充电器和DC-DC转换器(用于混合动力、插电式混合动力和全电动车辆)的理想选择。

Fairchild新SuperFET II MOSFET和高压整流器来推动电动车辆设计

Fairchild新SuperFET II MOSFET和高压整流器来推动电动车辆设计

Fairchild 正在满足车辆制造商和零配件供应商的高级需求,其新的SuperFET® II MOSFET和高压整流器产品系列有助于打造更清洁、更智能的车辆,是额定功率不断提高的车载充电器和DC-DC转换器的理想选择。

ROHM新增高效MOS智能功率模块,有助于家电和工业设备实现更低功耗

ROHM新增高效MOS智能功率模块,有助于家电和工业设备实现更低功耗

ROHM开发出满足家电产品和工业设备等的小容量电机低功耗化需求的高效MOS-IPM(Intelligent Power Module)"BM65364S-VA/-VC(额定电流15A、耐压600V)",产品阵容更加丰富。

安森美推出全新中压高能效单N沟道功率MOSFET系列

安森美推出全新中压高能效单N沟道功率MOSFET系列

安森美推出新的高能效单N沟道功率MOSFET系列,进一步扩大其宽广的产品阵容。这些器件能提供低得令人难以置信的导通电阻RDS(on) 值,从而将导通损耗降至最低并提升整体工作能效水平。它们还有低至2164皮法(pF)的门极电容(Ciss),确保保持尽可能低的驱动损耗,适用于数据网络、电信和工业应用。

东芝推出用于USB Type-C负载开关的沟道MOSFET产品

东芝推出用于USB Type-C负载开关的沟道MOSFET产品

东芝已推出一个P沟道MOSFET产品SSM6J507NU,是适用于USB Type-C接口(符合USB PD*1规范)的负载开关。另外,东芝已同时推出了SSM6J511NU和SSM6J512NU,它们都支持电池和电池充电器IC之间的负载开关低电压驱动。

小尺寸低电阻:Vishay发布业内导通电阻最低的20V芯片级MOSFET

小尺寸低电阻:Vishay发布业内导通电阻最低的20V芯片级MOSFET

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,发布超小尺寸20V芯片级MOSFET---Si8824EDB,新器件采用高度0.357mm的芯片级MICRO FOOT 0.8mm x 0.8mm封装的TrenchFET 20V N沟道,是20V MOSFET中导通电阻最低的器件,尺寸为1mm2或不到0.7mm2。超小的尺寸使器件在设备中能节省空间,降低功耗,并延长电池使用时间。

小尺寸高效率:Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET

小尺寸高效率:Fairchild推出业内首款8x8 Dual Cool封装的中压MOSFET

近日,Fairchild 宣布推出其领先行业的中压MOSFET产品。新产品采用8x8 Dual Cool封装,为电源转换工程师替换体积大的D2-PAK封装提供了卓越的产品。即使尺寸缩减了一半,但却能提供更高的功率密度和更佳的效率,且通过在封装上下表面同时流动的气流提高了散热性能。

Diodes新款MOSFET能确保低电源轨能够以最低通损耗进行开关

Diodes新款MOSFET能确保低电源轨能够以最低通损耗进行开关

Diodes公司新推出DFN2020封装P通道MOSFET产品--DMP1022UFDF以及DMP2021UFDF,新款MOSFET采用设计小巧的2mm x 2mm DFN2020封装,分别提供12V和20V的额定值。

Vishay全新VRPower集成式DrMOS功率级解决方案可满足电子产品的性能需求

Vishay全新VRPower集成式DrMOS功率级解决方案可满足电子产品的性能需求

近日,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出5款新的VRPower集成式DrMOS功率级解决方案---SiC530、SiC531、SiC532、SiC631和SiC632,以满足下一代笔记本电脑、超便携笔记本和桌面PC对大电流、高效率和高功率密度的性能需求,可用于多相POL稳压器。

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

美国加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench? MOSFET。

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

美国加州圣何塞 – 2016 年 3月22日 —全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench? MOSFET。

Vishay扩大MOSFET产品组合,推出全新650V EF系列器件

Vishay扩大MOSFET产品组合,推出全新650V EF系列器件

日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。

英飞凌全新功率MOSFET大幅降低导通电阻和反向恢复电

英飞凌全新功率MOSFET大幅降低导通电阻和反向恢复电

英飞凌科技股份公司发布针对高能效设计和应用的OptiMOS™ 5 150 V产品组合。该产品家族进一步壮大了行业领先的最新一代OptiMOS™ 5功率MOSFET的阵容。

凌力尔特推出高速高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7000/-1

凌力尔特推出高速高压侧N沟道MOSFET驱动器LTC7000/-1

亚德诺半导体(ADI)旗下凌力尔特公司(Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7000/-1,该器件采用高达 150V 的电源电压工作。

东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社面向继电器驱动器推出小型双MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布推出一款新的MOSFET“SSM6N357R”,该产品在漏极和栅极端子之间设计有内置二极管。该器件适用于驱动机械继电器等电感负载。批量发货即日启动。

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