【导读】Central Semiconductor公司推出了CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET，型号包括CMLDM7002A、CMLDM7002AG和CMLDM7002AJ。其漏源电压为60V，额定漏极电流为280mA，峰值漏极电流最大为1.5A，额定功率损耗为350mW，可减少器件在工作时的发热量。CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET提供低RDS（ON）和VDS（ON）。在VGS=10V, ID=500mA时RDS最大仅为2Ω，VDS（ON）最大仅为1V。可用于高速脉冲放大器和驱动器等应用。
图1 CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET实物图
CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET是双N沟道增强型MOSFET，由N沟道DMOS工艺制造。其中CMLDM7002A利用美国引脚配置，而CMLDM7002AJ利用日本引脚配置，使用SOT-563封装，存储和工作温度范围为-65~150℃，结温最高可达357℃，工作温度范围较广，可满足不同的应用需求。
图2 CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET封装尺寸图
图3 CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET内部结构图
CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET的产品特性及优势：
•漏源电压60V
•漏极电流280mA
•功率损耗350mW
•低RDS（ON），VGS=10V, ID=500mA时RDS（ON）最大仅为2Ω
•低VDS（ON），VGS=10V, ID=500mA时VDS（ON）最大仅为1V
CMLDM7002A系列表面安装型硅双N通道增强型MOSFET的主要应用：
•高速脉冲放大器
•驱动器
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