MOSFET产品导购分类—电子元件技术网采购中心第8页

特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了作为MOSFET的新系列产品XP231P02013R和XP232P05013R。

东芝推出80V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率

中国上海，2020年3月30日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，其“U-MOS X-H系列”产品线新增采用其最新一代工艺制造而成的80V N沟道功率MOSFET--- TPH2R408QM和TPN19008QM。新款MOSFET适用于数据中心和通信基站所用的工业设备的开关电源。

科锐推出新型650V MOSFET，适用于更广阔的工业应用

科锐于近日宣布推出 Wolfspeed 650V 碳化硅 MOSFET 产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。

Transphorm推出第四代GaN平台及SuperGaN功率FET

设计和制造高可靠性、并率先获得JEDEC和AEC-Q101认证的高压氮化镓（GaN）功率半导体器件的领先公司Transphorm，Inc.今天宣布推出其第四代GaN平台。与前几代GaN技术相比，Transphorm的新一代技术在性能、可设计性和成本方面都有显着进步。Transphorm今日还宣布，其第四代及以后的平台都将相应地被称为SuperGaNTM技术。

Nexperia推出超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。

特瑞仕扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP23x系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了6种MOSFET新产品--XP23系列（30V耐压）和XP26系列（60V耐压）。

满足厂商迫切需求，基本半导体推出车规级全碳化硅功率模块

基本半导体是中国碳化硅功率器件领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。在新能源汽车领域,电机控制器和车载电源的的核心是功率半导体器件,也是基本半导体最关注的两大应用。

Nexperia发布P沟道MOSFET，采用节省空间的坚固LFPAK56封装

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。

英飞凌推出CoolMOS CFD7A系列MOSFET

【2020年5月8日，德国慕尼黑讯】为满足电动汽车市场的需求，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出全新产品系列：CoolMOS™ CFD7A系列。这些硅基高性能产品可用于车载充电器系统的PFC和DC-DC级，以及专为电动汽车应用优化的高低压DC-DC转换器。

英飞凌壮大StrongIRFET 40-60 V MOSFET产品阵容，推出采用D²PAK 7pin+封装的新器件

【2020年5月13日，德国慕尼黑讯】德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步壮大StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容，推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用，包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。

东芝面向汽车ECU推出MOSFET栅极驱动器开关IPD

东芝宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。

Diodes推出新一代分立MOSFET中的首款产品--- DMN3012LEG

Diodes Incorporated（Nasdaq：DIOD）今天宣布推出新一代分立MOSFET中的首款产品。 DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率，从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本，功率和空间节省。

特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品XP231P02015R

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET新产品-- XP231P02015R（-30V耐压）。

美国布法罗大学科研团队开发了新形式的功率MOSFET晶体管

美国布法罗大学科研团队开发了一种新形式的功率MOSFET晶体管，这种晶体管可以用最小的厚度处理难以置信的高电压，可能会提升电动汽车电力电子元件效率。金属氧化物半导体场效应晶体管，也就是我们常说的MOSFET，是各种消费类电子产品中极为常见的元件，尤其是汽车电子领域。

Nexperia推出采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管

Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。