【导读】功率因数校正（PFC）、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器的设计人员现在可以通过使用来自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）结型场效应晶体管（JFET）共源共栅（cascodes）来升级现有系统的性能。
这些器件的电压额定值为1200 V，导通电阻为80和40mΩ，能够为许多现有的IGBT、硅和碳化硅MOSFET部件提供“直接更换”替代解决方案，而无需改变栅极驱动电路。这简化了设计升级，并为现有零部件提供了可替代采购来源。
对于功率因数校正、主动前端整流器、LLC转换器和相移全桥转换器等应用，需要更高的效率和/或功率密度，所涉及的终端应用包括车载电动汽车（EV）充电器、叉车电池充电、光伏逆变器以及焊接等。
UJ3C1200系列基于UnitedSiC的第三代SiC晶体管技术，将一个碳化硅 JFET与定制设计的硅MOSFET集成在一起，凭借SiC JFET的速度、效率和高温额定值，实现通常关运行、高性能体二极管和MOSFET简单栅极驱动的完美组合。因此，现有系统可以实现性能提升，降低传导和开关损耗，提高热性能，并集成有栅极ESD保护。在新设计中，UnitedSiC UJ3C1200系列可提供实质性的系统优势，能够提高开关频率和效率，并可减小磁性元件和电容器等被动元件的尺寸和成本。
UnitedSiC将在PCIM 2018 ECOMAL欧洲展台7-406上展示1200V FET系列产品。
UnitedSiC还将参加两个小组讨论：
“未来5年电源制造商面临的挑战和机遇”-- 2018年6月5日（星期二）12：00-13：00，6展厅155号展位。
“碳化硅–面向未来设计的器件”--- 2018年6月6日（星期三），13:30 – 14:30, 6展厅155号展位。
价格和供货
UJ3C1200系列碳化硅场效应晶体管现已经在授权分销商处销售，发货数量最低为500件，起价为10.39美元。
主要优势
· 低Rdson：降低传导损耗
· 灵活的栅极驱动：易于直接更换IGBT、硅或其他碳化硅MOSFET设计，或使用0V至12V简单栅极驱动，节省BOM成本
· 低热阻：允许更高的RMS电流，提供更多的输出功率
· ESD保护：HBM Class 2级别保护，确保栅极上的过压尖峰被钳位
评论
UnitedSiC副总裁Anup Bhalla在谈及新型SiC晶体管系列的优势时表示：“这些令人兴奋的新器件能够使设计人员采用SiC技术，而无需担心栅极驱动器的复杂性。高性能体二极管和集成式栅极ESD保护为设计人员带来更多附加值，同时帮助用户获得许多独家供应商部件的第二来源。”
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