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MOSFET
UnitedSiC发布首批RDS低于10mΩ的碳化硅FET，具有更高效率和更低损耗
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET，其RDS(ON)值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。在这四款全新UF3C SiC FET器件中，一款产品额定电压值为650V，RDS(on)为7 mΩ，另外三款电压额定值为1200V，RDS(on)分别为9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封装。
Vishay推出新款共漏极双N沟道60V MOSFET，提高功率密度和效率
宾夕法尼亚、MALVERN — 2019年12月11日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK® 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。
东芝面向车载应用推出采用紧凑型封装的100V N沟道功率MOSFET
中国上海，2019年12月25日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出两款面向车载48V电气系统应用的新型100V N沟道功率MOSFET。该系列包括具备低导通电阻的“XPH4R10ANB”-其漏极电流为70A，以及“XPH6R30ANB”-其漏极电流为45A。批量生产和出货计划于今天开始。
FLOSFIA推出GaO功率器件和评估板，迁移率远超商用SiC
据EE Times Japan报道，京都大学投资的科技初创公司FLOSFIA在12月11日-13日召开的“SEMICON Japan 2019”上展示了GaO功率器件和评估板，并计划于2020年进行全球范围内首次GaO肖特基势垒二极管的量产。
Littelfuse推出栅极驱动器评估平台
芝加哥，2020年1月14日 - 全球领先的电路保护、电源控制和感应技术制造商Littelfuse, Inc.（纳斯达克：LFUS）今天宣布推出栅极驱动器评估平台(GDEV)。 新的评估平台可帮助设计师评估碳化硅MOSFET、碳化硅肖特基二极管和栅极驱动器电路等其他外围组件，以便他们更好地了解碳化硅技术在连续工作条件下如何在转换器应用中发挥作用。
UnitedSiC推出具有最低RDS（on）的SiC FET器件
2020年2月3日，美国新泽西州普林斯顿 --- 美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS（on）的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8，这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件，使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。
Nexperia在LFPAK56中发布了0.57mΩ的低RDS（on）MOSFET
Nexperia是分立和MOSFET元件以及模拟和逻辑集成电路领域的专家，今天宣布发布了它有史以来最低的RDS（on）功率MOSFET。已被公认为低电压、低RDS（ON）器件的行业领导者，今天推出的PSMNR51-25YLH在25 V下设置了0.57μm的新标准。利用NExista独特的NEXPOWEST3技术，在不损害其他重要参数如最大漏电流（ID（max））的情况下，提供了市场领先性能；安全操作区（SOA）或门电荷QG。
Vishay推出提供一流的电阻时间栅电荷FOM的MOSFET
宾夕法尼亚州马尔文市—2020年1月29日—Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE:VSH）今天推出了一种新型80 V TrenchFET®Gen IV n沟道功率MOSFET，采用6.15 mm×5.15 mm PowerPAK®SO-8单封装。Vishay Siliconix SiR680ADP通过提高功率转换拓扑和开关电路的效率来节约能源，它提供了最好的电阻乘以栅极电荷（功率转换应用中使用的MOSFET的关键性能指标（FOM））129 mΩ*nC。
Vishay推出30V P沟道MOSFET
2020年2月10日-Vishay Intertechnology，Inc.（NYSE:VSH）今天推出了一种新的-30V p沟道TrenchFET®Gen IV功率MOSFET，在3.3m m×3.3mm热增强PowerPAK®1212-8S封装中提供10V时3.5MΩ的工业低导通电阻，除了同类最佳的电阻乘以栅极电荷-开关应用中使用的mosfet的临界值（FOM）-172mΩ*nC。专为提高功率密度而设计，节省空间的Vishay Siliconix SiSS05DN比6 mm×5 mm封装中具有类似导通
英飞凌推出全新600 V CoolMOS PFD7系列
【2020年2月14日，德国慕尼黑讯】通过立足于超结技术创新和20多年的丰富经验，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其CoolMOSTM产品组合，推出全新PFD7系列，该系列不仅具备一流的性能，还拥有最出色的易用性。这些器件适用于超高功率密度设计（如充电器和适配器等）以及低功率驱动和特定照明应用。
英飞凌推出OptiMOS 源极底置25 V功率MOSFET
2020年2月18日，英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战，来实现系统创新和组件水平的改进。“源极底置”是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。
儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站www.rutronik24.com.cn上供应这款MOSFET器件。
MagnaChip推出无线耳机充电保护的MOSFET
MagnaChip宣布，公司推出一种新的用于无线耳机的MOSFET，以防止电池过度充电。该MOSFET旨在控制充电电池时流入无线耳机的过多电流，以保护无线耳机免受损坏。
英飞凌推出650 V CoolSiC™ MOSFET
英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
东芝的新型100V N沟道功率MOSFET有助于降低汽车设备的功耗
东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）发布“XK1R9F10QB”，这是一款100V N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，适用于汽车的48V设备应用，例如负载开关、开关电源和电机驱动。出货即日启动。
英飞凌推出面向低频率应用的600V CoolMOS S7超结MOSFET
英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言，新推出的600 V CoolMOS™ S7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS™ S7系列产品的主要特点包括导通性能优化、热阻改进以及高脉冲电流能力，并且具备最高质量标准。该器件适合的应用包括有源桥式整流器、逆变极、PLC、功率固态继电器和固态断路器等。此外，10mΩ CoolMOS™ S7 MOSFET是业界RDS(on)最小的器件。
安森美半导体推出新的900 V和1200 V 碳化硅MOSFET
3月11日，安森美半导体推出另两个碳化硅（SiC） MOSFET系列，扩展了其宽禁带（WBG）器件系列。 这些新器件适用于各种高要求的高增长应用，包括太阳能逆变器、电动汽车（EV）车载充电、不间断电源（UPS）、服务器电源和EV充电桩，提供的性能水平是硅（Si） MOSFET根本无法实现的。
EPC推出车规级氮化镓场效应晶体管EPC2216
宜普电源转换公司(EPC)的车规级并通过AEC Q101认证的氮化镓晶体管系列增添全新成员 -- 经过优化的15 V EPC2216，实现不昂贵的高性能激光雷达系统。
