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MOSFET
安森美半导体推出能降低损耗的低压功率MOSFET新系列
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor）推出新系列的6款N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)，它们经过设计及优化，提供领先业界能效，优于市场现有器件。NTMFS4Hxxx及NTTFS4Hxxx系列MOSFET极适合用作服务器、网络设备及高功率密度DC-DC转换器等多种应用的开关器件，或者用于配合负载点(POL)模块中的同步整流。这些器件提供包含及不包含集成一个肖特基二极管的不同版本，能帮助工程师提供更高能效。
IR推出具有超低导通电阻的60V MOSFET以满足工业应用需求
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出60V器件以扩充StrongIRFET MOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护及开关模式电源二次侧同步整流等。
英飞凌带来ThinPAK 5x6封装的CoolMOS MOSFET
移动设备充电器、超高清电视和LED灯具都必须满足许多相互矛盾的要求。消费者希望买到外形小巧但性能优越的产品。因此，制造商需要结构紧凑、散热良好和经济高效的半导体解决方案。而 这些空间限制可以通过缩减板载组件的尺寸和重量加以解决。
德州仪器面向大电流电机控制及电源设计推出 40V 至 100V NexFET™ MOSFET
德州仪器 (TI) 宣布推出 14 款采用 TO-220 及 SON 封装的功率 MOSFET，其支持 40V 至 100V 输入电压，进一步壮大了 TI 普及型 NexFET 产品阵营。高效率 NexFET 包括 40V、60V、80V 以及 100V N 通道器件，可为广泛大电流电机控制及电源应用提供优异的散热性能。
IR推出车用40V 5x6mm双PQFN COOLiRFET™，为小功率电机提供基准性能
近日，IR宣布推出两款40V车用COOLiRFET™ 功率MOSFET 产品——AUIRFN8459和AUIRFN8458，为需要小体积、大电流的汽车应用，比如泵电机控制、车身控制等提供基准导通电阻(Rds(on))。
Vishay新款12V芯片级MOSFET--Si8457D，可有效降低超便携产品的功耗
日前，Vishay宣布，发布有助于在智能手机、平板电脑、可穿戴设备和高端笔记本电脑中减少功耗并延长电池使用时间的新款功率MOSFET---Si8457DB。新的MICRO FOOT®器件首次在1.8V电压和±8V VGS下实现35mΩ导通电阻。
IR电池保护MOSFET系列，为移动应用提供的灵活解决方案
近日，IR 针对锂离子电池保护应用推出配备IR最新低压MOSFET硅技术的一系列器件，包括IRL6297SD双N通道DirectFET MOSFET，为移动应用提供具有成本效益的灵活解决方案。
Vishay双片600V快速体二极管N沟道MOSFET，用于软开关拓扑
日前，Vishay发布600V EF系列快速体二极管N沟道功率MOSFET的两款器件---SiHx28N60EF和SiHx33N60EF。Vishay Siliconix SiHx28N60EF和SiHx33N60EF具有低向恢复电荷和导通电阻，能够在工业、电信、计算和可再生能源应用中提高可靠性，节约能源。
IR 推出 25V IRFH4257D FastIRFET 双功率 MOSFET
日前，IR 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模块封装的IRFH4257D FastIRFET 双功率MOSFET。这项新的封装拓展了IR的功率模块系列的功能，使其可用于更低功率的紧凑型设计，适合12V输入DC-DC同步降压应用，包括先进的电信和网络通信设备、服务器、显示适配器、台式电脑、超极本 (Ultrabook) 及笔记本电脑等应用。
Diodes全新MOSFET栅极驱动器，提升整体转换效率
Diodes 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。
TI推出可实现最低电阻的NexFET N沟道功率MOSFET
日前，TI 推出其NexFET™ 产品线11款新型N沟道功率MOSFET，其中包括具有最低导通电阻并采用5 mm x 6 mm QFN 封装的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可应用于热插拔和ORing应用。
Vishay新款500V高压MOSFET 采用Gen II超级结技术
日前，Vishay宣布其500V系列高压MOSFET新增11颗新器件，其具有与E系列600V和650V MOSFET相同的优点：高效率和高功率密度，这些器件适合应用在功率不超过500W的开关电源。
Diodes双向MOSFET-DMN2023UCB4提供单、双电芯锂电池充电保护
Diodes推出双向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的单电芯及双电芯锂电池充电保护。新产品的目标终端市场包括智能手机、平板电脑、照相机、便携式媒体播放器，以及对其尺寸丶重量和电池寿命都至关重要的同类型消费性产品。
ST推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管
意法半导体推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶体管，其先进的能效与卓越的可靠性将为更多节能应用带来技术优势，包括纯电动汽车和混合动力汽车的逆变器、太阳能或风力发电、高能效驱动器、电源以及智能电网设备。
Diodes新出三款小信号MOSFET-DMN2990UFZ、DMN31D5UFZ和DMP32D9UFZ
Diodes新推出的三款小信号MOSFET包括了20V和30V额定值的N通道晶体管，以及30V额定值的P通道器件，产品全都采用了DFN0606微型封装，进一步为空间要求严格的产品设计扩充旗下超小型分立器件产品系列。每个器件的电路板占位面积仅0.6mmx0.6mm，比一般采用DFN1006(SOT883)封装的MOSFET小40%，是下一代可穿戴科技产品、平板电脑及智能手机的理想之选。
Vishay新款20V MOSFET可显著提高便携产品的功率密度和可靠性
日前，Vishay宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK SC-70®封装的新款20V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA466EDJ。新器件具有25A的连续漏极电流和2500V ESD保护能力，采用PowerPAK® SC-70封装，占位面积为2mm x 2mm。
Fairchild推出800V MOSFET系列，导通电阻低至60mΩ
Fairchild近日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有最低的导通电阻 (RDS(ON)) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案（需要 600V/650V 以上的击穿电压）的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。
Fairchild新扩展温度中压MOSFET，额定结温为175°C
Fairchild 正在利用其扩展温度(ET)中压MOSFET（能在175°C下工作）的扩充产品系列帮助生产商提高产品可靠性和性能。30V至150V漏源击穿电压的19款新MOSFET可将功率密度提高达85%，可靠性比额定值为150°C业内标准值的MOSFET高三倍。
