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东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET

发布时间:2018-08-21 责任编辑:wenwei

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出新系列的下一代650V功率MOSFET,用于数据中心服务器电源、太阳能(PV)功率调节器、不间断电源系统(UPS)和其他工业应用。
 
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
 
TK040N65Z是DTMOS VI系列的首款器件,是一款支持高达57A连续漏极电流(ID)的650V器件,而出现脉冲电流(IDP)时,可支持高达228A的连续漏极电流。该款新器件提供0.04Ω(0.033Ω典型值)超低漏源极导通电阻RDS(ON),可有效减少电源应用中的损耗。得益于更低的电容设计,该款增强型器件成为现代高速电源应用的理想之选。
 
关键性能指标/品质因数(FoM) – RDS(ON) x Qgd的降低使得电源效率得到提高。与上一代DTMOS IV-H器件相比,TK040N65Z的这一重要指标提升40%,这意味着电源效率显著提高,据测量,2.5kW PFC电路中电源效率提高大约0.36%[1]。
 
该款新器件采用业界标准的TO-247封装,既实现了与旧版设计的兼容性,也适用于新项目。
 
为满足市场需求,东芝将继续扩大其产品阵容并帮助提高电源和电源系统的效率。
 
该款新器件的批量生产和出货即日启动。
 
应用场合
 
● 数据中心(服务器电源等)
● 光伏发电机功率调节器
● 不间断电源系统
 
特点
 
● RDS(ON) × Qgd降低,支持开关电源提高效率
 
东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET
 
注:[1] 截至2018年6月,东芝测量值(2.5kW PFC电路@输出功率=2.5kW)。
 
 
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