首页 > 采购中心 > 产品导购

MOSFET

Nexperia推出其 NextPower Live 线性模式 MOSFET 系列产品

Nexperia推出其 NextPower Live 线性模式 MOSFET 系列产品

Nexperia公司,作为分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球先行者,今天推出了其 NextPower Live 线性模式 MOSFET 系列的最新产品,PSMN3R7-100BSE 提供强大的安全操作区 (SOA) 和较低 RDS(on) 的最佳组合,非常适用于热插拔、软启动和电子熔断器应用。

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin连接器件

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布扩展UF3C FAST产品系列,并推出采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense封装的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET器件。新产品基于高效的共源共栅配置,可为设计人员提供非常快的开关速度和较高的功率,并且其封装能够满足高功率应用的散热要求。

Allegro推出经ASIL认证的全新BLDC MOSFET驱动器

Allegro推出经ASIL认证的全新BLDC MOSFET驱动器

Allegro宣布推出符合ISO-26262标准的全新N沟道功率MOSFET驱动器AMT49105,新产品能够简化电机系统设计,并通过集成所需的功率模拟系统而减少了PCB面积。

基本半导体推出国内首款工业级碳化硅MOSFET

基本半导体推出国内首款工业级碳化硅MOSFET

新年伊始,基本半导体正式发布国内首款拥有自主知识产权的工业级碳化硅MOSFET,该产品各项性能达到国际领先水平,其中短路耐受时间更是长达6μs。碳化硅MOSFET的发布,标志着基本半导体在第三代半导体研发领域取得重大进展,自主研发的碳化硅功率器件继续领跑全国。

基本半导体推出高可靠性1200V碳化硅MOSFET

基本半导体推出高可靠性1200V碳化硅MOSFET

近十年来,第三代半导体技术已趋于成熟。碳化硅作为第三代半导体器件的重要代表,已在工业、汽车以及国防军工等领域有着广泛应用。基本半导体紧跟时代步伐,采用国际领先的碳化硅设计生产工艺,推出国内首款通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET,助推国内第三代半导体技术发展。

ST超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

ST超结MOSFET为电桥和ZVS转换器带来卓越性能

意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。

EPC车规级eGaN FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效

EPC车规级eGaN FET使得激光雷达系统看到更清晰、更高效

宜普电源转换公司(EPC)宣布再多两个车用氮化镓(eGaN)器件成功通过AEC Q101测试认证,可在车用及其它严峻环境支持多种全新应用。EPC2206及EPC2212是采用晶圆级芯片规模封装(WLCS) 、分别是80 VDS 和100 VDS的分立晶体管。

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出第四代600V E系列功率MOSFET器件SiHH068N60E

Vishay推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件。Vishay Siliconix n沟道SiHH068N60E导通电阻比前一代600 V E系列MOSFET低27 %,为通信、工业和企业级电源应用提供高效解决方案,同时,栅极电荷下降60 %。从而使其栅极电荷与导通电阻乘积在同类器件中达到业内最低水平,该参数是600 V MOSFET在功率转换应用中的关键指标 (FOM)。

Nexperia 推出尺寸为 3x3 mm MOSFET 元件,适用于汽车级动力系统应用

Nexperia 推出尺寸为 3x3 mm MOSFET 元件,适用于汽车级动力系统应用

Nexperia今日推出了低 RDS(on) 40 V AEC-Q101 MOSFET 产品系列,其目标应用为动力系统中空间受限且高功率的模块。

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器

Vishay推出新款2.5 A IGBT和MOSFET驱动器

Vishay推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驱动器---VOD3120A,扩展其光电产品组合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封装,低压降输出电流损耗仅为3.5 mA,可用于提高逆变器级工作效率。

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

Vishay推出高性能60V TrenchFET第四代N沟道功率MOSFET

Vishay推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装的60 V TrenchFET® 第四代 n沟道功率MOSFET---SiR626DP。Vishay Siliconix SiR626DP专门用于提高功率转换拓扑结构的效率,导通电阻比前代器件降低36%,同时栅极电荷和输出电荷达到同类产品最低水平。

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

贸泽开售STMicroelectronics MDmesh M6高效超结MOSFET

贸泽电子即日起备货STMicroelectronics (ST) 的MDmesh™ M6系列 超结晶体管。MDmesh M6系列MOSFET针对提高中等功率谐振软开关和硬开关转换器拓扑能效而设计,可提高电池充电器、电源适配器、PC电源、LED照明驱动器、电信和服务器电源以及太阳能 微型逆变器等设备的功率密度。

Vishay推出汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP

Vishay推出汽车级p沟道TrenchFET功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP

Vishay推出新款30 V和40 V汽车级p沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP,采用鸥翼引线结构PowerPAK® SO-8L封装,有效提升板级可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通过AEC-Q101认证,占位面积比DPAK封装器件减小50%以上,节省PCB空间并降低成本,同时导通电阻低于任何鸥翼引线结构5 mm x 6 mm封装MOSFET。

Diodes公司推出双极晶体管,采用小尺寸封装并提供更高的功率密度

Diodes公司推出双极晶体管,采用小尺寸封装并提供更高的功率密度

Diodes 公司为领先业界的高质量应用特定标准产品全球制造商与供货商,产品涵盖广泛领域,包括独立、逻辑、模拟及混合讯号半导体市场。公司推出 NPN 与 PNP 功率双极晶体管,采用小尺寸封装 (3.3mm x 3.3mm),可为需要高达100V 与 3A 的应用提供更高的功率密度。

ROHM推出600V耐压超级结MOSFET“PrestoMOS”系列产品

ROHM推出600V耐压超级结MOSFET“PrestoMOS”系列产品

ROHM推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。

UnitedSiC推出用于低功率AC-DC反激式转换器的SiC JFET系列

UnitedSiC推出用于低功率AC-DC反激式转换器的SiC JFET系列

UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片,由此可制造出速度极快,基于共源共栅的20~100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650~1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功耗,是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择,其中包括消费类电子适配器和辅助电源等应用。

ROHM面向车载充电器和DC/DC转换器推出SiC MOSFET

ROHM面向车载充电器和DC/DC转换器推出SiC MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM面向车载充电器和DC/DC转换器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10个机型,该系列产品支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※2),而且产品阵容丰富,拥有13个机型。

Nexperia推出史上最低导通阻抗的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

Nexperia推出史上最低导通阻抗的LFPAK56和LFPAK33封装MOSFET

Nexperia(安世半导体), 分立器件、逻辑器件和 MOSFET 器件的全球领导者,今日宣布其已采用 Trench 11 技术实现具有史上最低导通阻抗的 NextPower S3 MOSFET,该项突破并不影响其他重要参数,例如漏极电流 (ID(max))、安全工作区域 (SOA) 或栅极电荷 QG。

关于我们 | About Us | 联系我们 | 隐私政策 | 版权申明 | 投稿信箱

反馈建议:editor@eecnt.com     客服电话:0755-26727371

Copyright © WWW.CNTRONICS.COM  All Rights Reserved 深圳市中电网络技术有限公司 版权所有   粤ICP备10202284号-1 未经书面许可,不得转载本网站内容。