【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社于2025年9月25日宣布推出采用最新一代U-MOS11-H工艺制造的100V N沟道功率MOSFET——TPH2R70AR5。这款MOSFET显著降低了漏源导通电阻（RDS(ON)）和总栅极电荷（Qg），其RDS(ON)最大值仅为2.7mΩ，Qg典型值为52nC。产品采用紧凑的SOP Advance (N)封装（5.15mm x 6.1mm），主要面向数据中心、通信基站等工业设备的开关电源应用，并已于发布当日开始正式出货。
东芝电子元件及存储装置株式会社于2025年9月25日宣布推出采用最新一代U-MOS11-H工艺制造的100V N沟道功率MOSFET——TPH2R70AR5。这款MOSFET显著降低了漏源导通电阻（RDS(ON)）和总栅极电荷（Qg），其RDS(ON)最大值仅为2.7mΩ，Qg典型值为52nC。产品采用紧凑的SOP Advance (N)封装（5.15mm x 6.1mm），主要面向数据中心、通信基站等工业设备的开关电源应用，并已于发布当日开始正式出货。
一、技术难点以及应对方案
在工业开关电源（SMPS）设计中，工程师始终面临如何平衡效率、功率密度和散热的多重挑战。传统MOSFET在导通电阻（RDS(ON)）和开关性能（Qg）之间存在难以兼顾的权衡问题，高开关速度往往导致更大的开关损耗和电压尖峰。
东芝U-MOS11-H工艺通过以下技术创新应对这些挑战：
●优化的器件结构：新一代U-MOS11-H工艺优化了器件结构，改善了RDS(ON)与Qg之间的权衡关系（RDS(ON)×Qg）。与前代U-MOSX-H系列产品TPH3R10AQM相比，TPH2R70AR5的RDS(ON)降低了约8%，Qg降低了37%，品质因数（RDS(ON)×Qg）显著改善了42%。
●先进的寿命控制技术：通过应用离子束注入等寿命控制技术，有意缩短载流子寿命，从而实现了高速体二极管性能。这不仅将反向恢复电荷（Qrr）降低了约38%，还有效抑制了开关过程中的电压尖峰。这使得RDS(ON)×Qrr改善了约43%。
二、核心作用
TPH2R70AR5的核心作用是作为高效率开关电源（如数据中心服务器电源、通信基站电源和高效率DC-DC转换器）中的关键功率开关元件。它通过显著降低导通损耗和开关损耗，直接提升电源系统的整体效率，并允许设计人员实现更高的功率密度。
三、产品关键竞争力
●卓越的电性能指标：低至2.7mΩ的导通电阻（RDS(ON)）和52nC的总栅极电荷（Qg），以及55nC的低反向恢复电荷（Qrr），共同确保了低功耗和高效率。
●优异的散热能力：最高结温（Tch）可达175°C，增强了器件在高温环境下的可靠性，并降低了对散热系统的要求。
●强大的电流处理能力：在25°C壳温下，连续漏极电流（ID）高达190A，适合高电流应用。
●完善的开发支持：东芝提供G0和G2 SPICE模型，帮助工程师快速验证电路功能并进行精确的瞬态特性仿真。
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25°C）
四、同类竞品品牌型号对比（表格）及分析
表格分析：
TPH2R70AR5在关键性能指标上相比其前代产品有显著提升，尤其是在影响开关电源效率的核心参数（RDS(ON)、Qg、Qrr）及其品质因数上。这表明其在降低导通和开关损耗方面具有竞争优势。紧凑的SOP Advance (N)封装也使其适合高功率密度设计。
五、实际应用场景
●数据中心服务器电源：用于高效的开关模式电源（SMPS），有助于降低数据中心的运营成本。
●通信基站电源：为5G等通信基础设施提供高效、可靠的电力转换。
●工业设备高效DC-DC转换器：适用于各种工业自动化设备中的电源模块。
●高频开关电源：其低Qg和Qrr特性使其适合高频开关操作，有助于缩小无源元件尺寸。
六、产品供货情况
东芝已宣布TPH2R70AR5于2025年9月25日开始出货。东芝还提供G0和G2 SPICE模型等电路设计支持工具，以协助客户进行设计。
结语
东芝新款TPH2R70AR5 100V N沟道功率MOSFET凭借其先进的U-MOS11-H工艺，在导通电阻、开关性能和体二极管恢复特性上取得了显著进步。它为设计更高效、更紧凑的工业开关电源提供了强有力的解决方案，特别是在对能效要求极高的数据中心和通信基础设施领域，有望助力客户降低系统功耗和总拥有成本（TCO）。
推荐阅读：
Abracon推出五款紧凑型GNSS天线：峰值增益最高5.0 dBic，兼容四大卫星系统
从数据中心到边缘：Supermicro模块化服务器解决方案覆盖全场景AI负载
突破多轴同步瓶颈：兆易创新GDSCN832 EtherCAT从站控制器助力工业机器人升级
双核驱动精密控制：瑞萨RA8T2 MCU为机器人与自动化赋能
专为智能体AI打造：高通第五代骁龙8至尊版实现终端侧深度学习
