【导读】作为国内领先的半导体器件厂商，长晶科技近日正式发布了基于其第二代屏蔽栅沟槽（SGT Gen2.0）工艺的30V MOSFET产品系列。这一突破性技术不仅实现了关键性能指标的大幅跃升，更在PC主板DC-DC同步降压电路中展现出能效与温控的显著优势，为核心硬件“降温增效”提供了国产高性能方案，标志着其产品实力已达到国际一线水平。
作为国内领先的半导体器件厂商，长晶科技近日正式发布了基于其第二代屏蔽栅沟槽（SGT Gen2.0）工艺的30V MOSFET产品系列。这一突破性技术不仅实现了关键性能指标的大幅跃升，更在PC主板DC-DC同步降压电路中展现出能效与温控的显著优势，为核心硬件“降温增效”提供了国产高性能方案，标志着其产品实力已达到国际一线水平。
新品亮相：SGT Gen2.0工艺下的30V MOSFET系列
基于SGT Gen2.0工艺，长晶科技针对PC电脑30V MOSFET应用，精心打造了一系列产品。其中，CJAC6R8SN03AL与CJAC2R8SN03AL上下管搭配，展现出非凡优势。
（应用在红色框部分）
产品详解：性能卓越，各展所长
●CJAC6R8SN03AL：采用SGT工艺，PDFNWB5×6封装。在10V/20A条件下，Rds(on)仅有5.4mΩ，较小的Ciss以及Qrr，可以极大降低开关损耗，适用于高效率快速开关应用场景。
●CJAC2R8SN03AL：采用SGT工艺，PDFNWB5×6封装。在10V/20A条件下，Rds(on)仅有2.2mΩ，较小的导通内阻，可以极大降低导通损耗，降低器件的温升。
参数对比
整体来看，长晶科技的技术对标国际一流，且产品在关键性能上找到了最佳平衡点。在保持超低导通电阻（RDS(on)）的同时，显著降低了栅极电荷（Qg），兼具了低损耗与高速度。
系统表现
将长晶产品和竞品分别放在BUCK 系统评估板，进行系统评估，结果如下表列示。
（测试条件Vin=19V，Vout=1V，Iout=15A，Fsw=650KHz，Vdri=5V，Ta=25℃）
系统评估：实测见真章，能效温升双领先
将长晶产品与竞品置于BUCK系统评估板进行测试，结果显示：在实际应用中，系统整体效率高达85.17%。与同类型竞品相比，能效提升显著，分别为0.59%、1.13%、1.63%，稳居行业领先地位。通过优化热管理设计与参数，满载运行时核心器件温升大幅降低。上管温升较竞品分别降低1.0℃、3.1℃、4.6℃，下管温升降低1.9℃、4.9℃、6.9℃，系统长期运行可靠性显著增强，产品生命周期有效延长。
相较于参照竞品，长晶科技SGT Gen2.0系列产品系统表现优于竞品，系统效率最高，温升最低。
推荐阅读：
中电华星推出CDA06系列DC-DC电源模块，助力中国智造畅行全球
速度狂飙14.9GB/s！铠侠新SSD高低搭配，引领PCIe 5.0新潮流
晶扬电子推出国产“三合一”滤波器，Pin-to-Pin替换安世半导体
