【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社近日宣布，推出三款采用表面贴装TOLL封装的650V碳化硅（SiC）MOSFET器件——TW027U65C、TW048U65C和TW083U65C 。这些新产品搭载了东芝最新的第三代SiC MOSFET芯片，旨在满足工业应用对更高效率和功率密度的需求，并已开始批量出货 。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C” 和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。
三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。
此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文链接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。
未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。
第3代SiC MOSFET封装产品线
测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V／0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω
续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）
图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较
应用
●服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源
●电动汽车充电站
●光伏逆变器
●不间断电源
特性
●表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗。
东芝第3代SiC MOSFET：
- 通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性。
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）
主要规格
（除非另有说明，Ta＝25°C）
同类竞品品牌型号对比（表格）及分析
表格分析：
东芝此系列产品在与同类TOLL封装SiC MOSFET（如安森美NTBL045N065SC1）竞争时，其总栅极电荷（Qg）显著更低（东芝TW048U65C为41nC vs 安森美105nC），这通常意味着更低的栅极驱动损耗和更快的开关速度 。与传统的TO-247封装硅基MOSFET相比，东芝新品的优势是全方位的，包括基于SiC材料的低导通电阻和高速开关能力，以及TOLL封装带来的空间和性能提升 。
注：
[1]截至2025年8月。
[2]电阻、电感等。
[3]一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。
[4]截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。
[5]采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET
推荐阅读：
专为X3D优化！技嘉X870E X3D系列主板以AI Turbo Mode 2.0提升游戏性能25%
博瑞集信Sub-6GHz移相器：以4.5dB低插损赋能新一代相控阵系统
英飞凌推出75mΩ CoolSiC™ G2 MOSFET：以TSC/BSC散热灵活性应对紧凑型SMPS挑战
超越机械千分表：UMBB系列LVDT传感器实现超1亿次循环寿命
突破多电平电路设计瓶颈：ROHM新型SiC模块实现2.3倍功率密度提升
