【导读】全球功率系统和物联网领域的半导体巨头英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY），在半导体领域持续发力，推出了全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 系列。这一系列产品的问世，目标明确，旨在为汽车和工业电源应用带来超高系统效率和功率密度，助力相关行业迈向新的发展阶段。目前，该系列提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装形式，产品组合丰富，在 25°C 情况下，典型导通电阻（RDS(on)）值覆盖 60 mΩ，满足不同应用场景的需求。
全球功率系统和物联网领域的半导体巨头英飞凌科技股份公司（FSE 代码：IFX / OTCQX 代码：IFNNY），在半导体领域持续发力，推出了全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 系列。这一系列产品的问世，目标明确，旨在为汽车和工业电源应用带来超高系统效率和功率密度，助力相关行业迈向新的发展阶段。目前，该系列提供 Q-DPAK、D2PAK 等多种封装形式，产品组合丰富，在 25°C 情况下，典型导通电阻（RDS(on)）值覆盖 60 mΩ，满足不同应用场景的需求。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性
此次扩展加入的产品涵盖多种应用，例如汽车行业的车载充电器和高低压 DCDC 转换器，以及工业应用中的服务器和电信开关电源（SMPS）和电动汽车充电基础设施等。其4 mΩ超低导通电阻可支持对静态开关性能有特殊要求的应用，例如 eFuse、高压电池隔离开关、固态断路器和固态继电器等。凭借这一领先的性能，设计人员能够开发出更高效、更紧凑且更可靠的系统，以满足各类严苛的要求。
CoolSiC™ MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其创新的顶部散热 Q-DPAK 封装，该封装可提供极佳的热性能与可靠性。该封装专为轻松应对高功率应用而开发，非常适合想要突破功率密度和效率极限的设计人员。该技术还具有出色的 RDS(on) x QOSS 和出色的 RDS(on) x Qfr，可有效降低硬开关和软开关拓扑结构中的开关损耗，尤其是在硬开关用户案例中具有出色的效率。
强大驱动：提供更大设计裕量
该系列还具备更强大的栅极驱动能力，支持的静态栅极电压和瞬态栅极电压分别可达 -7 V 和 -11 V。这种增强的耐压性为工程师提供了更大的设计裕量，使他们在设计系统时能够更加灵活，同时也实现了与市面上其他器件的高度兼容，降低了设计成本和难度。
供货情况
现已推出 CoolSiC™ MOSFET 750 V G2 Q-DPAK 4/7/20/33/40/50 mΩ 和D2PAK 7/25/33/40/50/60 mΩ的样品。
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