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并联性能飞跃:Nexperia ASFET实现电流均衡,提升系统可靠性

发布时间:2025-10-13 责任编辑:lina

【导读】全球基础半导体器件领域的领先企业Nexperia(安世半导体)近日宣布,为其应用专用MOSFET (ASFET) 产品组合新增两款重磅产品:80 V PSMN1R9-80SSJ 与 100 V PSMN2R3-100SSJ。这两款器件凭借增强的动态均流功能,专为需要并联MOSFET的高功率48 V应用而优化,旨在解决长期以来困扰工程师的并联电流失衡问题,可显著提升系统可靠性并降低设计复杂度。


全球基础半导体器件领域的领先企业Nexperia(安世半导体)近日宣布,为其应用专用MOSFET (ASFET) 产品组合新增两款重磅产品:80 V PSMN1R9-80SSJ 与 100 V PSMN2R3-100SSJ。这两款器件凭借增强的动态均流功能,专为需要并联MOSFET的高功率48 V应用而优化,旨在解决长期以来困扰工程师的并联电流失衡问题,可显著提升系统可靠性并降低设计复杂度。


并联性能飞跃:Nexperia ASFET实现电流均衡,提升系统可靠性


01 行业痛点:并联设计的挑战


在高功率工业应用中,通过并联多个MOSFET来提升电流能力和降低导通损耗是一种常见做法。然而,这种设计路径充满挑战:


动态电流失衡是最核心的难题。在导通和关断过程中,阈值电压(VGS(th)) 最低的MOSFET会率先导通,从而导致其承受更高的电流和热应力。这种不均不仅影响性能,还可能加速器件老化甚至导致早期失效。


为解决失衡问题,工程师通常面临两种不尽人意的选择:要么对MOSFET进行过度设计,通过使用更高规格的器件来保证安全裕量,但这会增加成本、设计周期和测试复杂度;要么向供应商采购经过筛选匹配的器件,但这同样会推高整体成本。


此外,热管理压力和系统可靠性在数十安培级别的大电流应用中也面临严峻考验。


02 Nexperia的创新解决方案


Nexperia的新型ASFET通过多项技术创新,直面上述挑战:


动态均流性能增强是最大的亮点。在单器件电流高达50 A的应用场景中,这两款开关能使并联器件间的电流差值减少50%,显著改善了电流分配不均的问题。


精准的阈值电压控制使VGS(th)参数差异范围缩小了50%,最大值与最小值仅差0.6 V。这一特性从源头上降低了先导通的可能性。


优异的导通电阻特性结合了1.9 mΩ (80 V款) 或 2.3 mΩ (100 V款) 的低RDS(on)值,有效降低了导通损耗,提升了系统能效。


坚固的封装与宽温工作能力则确保了产品可靠性。新型ASFET采用8 mm×8 mm铜夹片LFPAK88封装,提供了-55℃至+175℃ 的广阔工作温度范围。


03 产品的核心作用


在高功率系统中,PSMN1R9-80SSJ和PSMN2R3-100SSJ ASFET扮演着系统可靠性守护者与设计简化者的双重角色:


作为电流平衡器,其增强的动态均流功能确保了并联器件间的负载电流均匀分配,从而提升系统整体可靠性。


作为系统优化器,其低RDS(on)特性有助于降低导通损耗,提升系统能效。同时,其内置的均流能力免除了外部复杂电路或筛选工序。


作为空间整合者,紧凑的LFPAK88封装配合高性能,节省了宝贵的PCB空间。


04 关键产品竞争力


Nexperia的新型ASFET在市场中展现出多维度竞争优势:


●均流性能领先:电流差值减少50%,动态均流能力卓越。

●电气特性优异:VGS(th)差异缩小50%(仅0.6 V),配合1.9 mΩ/2.3 mΩ的低导通电阻。

●封装与热性能:LFPAK88封装兼具耐用性与空间效率,支持-55℃至+175℃ 工作温度范围。

●应用针对性设计:专为高功率48 V应用优化,特别适合电机驱动等工业场景。

●系统级成本优势:通过省去器件匹配环节与降低设计复杂度,有效控制总体拥有成本。


05 市场竞争定位


并联性能飞跃:Nexperia ASFET实现电流均衡,提升系统可靠性


竞争分析:Nexperia新型ASFET在均流性能和VGS(th)一致性等核心指标上建立了明确优势。其应用专用优化的思路直击高功率并联设计的痛点,而系统级成本控制能力为终端客户提供了显著价值。


06 实际应用场景


●电动交通工具:包括叉车、电动滑板车、代步设备的电机驱动系统,受益于其高可靠性电流控制。

●高功率工业电机:各类工业电机驱动应用,凭借其卓越的均流特性确保系统稳定运行。

●48 V电源系统:适用于通信设备、服务器等基于48 V电源架构的应用场景。

●电池管理系统:可用于需要精密电流控制的大功率电池管理场景。


07 产品供货情况


根据官方信息,Nexperia的PSMN1R9-80SSJ与PSMN2R3-100SSJ已正式发布。


作为一家全球性半导体公司,Nexperia在欧洲、亚洲和美国拥有强大的供应链能力,确保为客户提供可靠的供货支持。


Nexperia新型ASFET的推出,标志着高功率MOSFET并联技术迈上了新台阶。其创新的动态均流设计与精准的电气特性控制,成功解决了长期困扰工程师的电流失衡与系统可靠性难题。


随着工业设备与电动交通工具对功率密度和可靠性要求的不断提升,此类高性能、高可靠性的功率开关解决方案将成为推动下一代高功率系统创新的关键因素。


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