【导读】龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET系列产品，包括LSB65R099HP和LSD65R099HP两个型号。该产品采用先进的PT工艺技术，并内置快恢复二极管（FRD）。其核心亮点在于优异的反向恢复电荷（Qrr） 和反向恢复时间（Trr） 表现，以及极低的栅极电荷（Qg），旨在显著提升LLC谐振拓扑等高频开关应用的效率和功率密度。
龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET系列产品，包括LSB65R099HP和LSD65R099HP两个型号。该产品采用先进的PT工艺技术，并内置快恢复二极管（FRD）。其核心亮点在于优异的反向恢复电荷（Qrr） 和反向恢复时间（Trr） 表现，以及极低的栅极电荷（Qg），旨在显著提升LLC谐振拓扑等高频开关应用的效率和功率密度。
一、技术难点以及应对方案
在LLC谐振变换器等高频、高效率电源设计中，功率MOSFET的开关损耗（特别是体二极管的反向恢复特性）和导通损耗是影响整体性能的关键瓶颈。传统的超结MOSFET其体二极管反向恢复电荷（Qrr）相对较高，输出电容（Coss）呈现高度非线性，这在高频开关过程中会导致显著的损耗和电磁干扰（EMI）。
龙腾半导体此款MOSFET通过以下技术方案应对挑战：
●优化的器件结构与PT工艺：LSD65R099HP采用的先进PT工艺，改善了器件在高低温条件下的IDSS漏电性能，使其优于传统的辐照工艺产品。这提升了器件在温度变化下的稳定性与可靠性。
●集成快恢复二极管（FRD）：通过集成FRD，显著优化了体二极管的反向恢复特性。官方数据显示，其Qrr和Trr参数相比市面主流产品有明显提升，这有助于降低LLC电路死区时间内的损耗，减少开关噪声。
●平衡的动态参数：产品在实现低导通电阻（RDS(on)）的同时，也控制了栅极电荷（Qg）等动态参数。这种平衡有助于在降低导通损耗的同时，不过度增加开关损耗，从而适应更高频率的应用。
二、核心作用
这款超结MOSFET的核心作用是作为高效电源系统（如LLC谐振变换器）中的关键功率开关元件。它通过低导通损耗和优异的开关特性，来提升系统的能量转换效率，并通过其稳健的性能确保电源的可靠运行。
三、产品关键竞争力
●优异的静态与动态参数：99mΩ的低导通电阻（RDS(on)）有助于降低导通损耗；低栅极电荷（Qg）和优化的Qrr/Trr则贡献于更低的开关损耗和更好的EMI表现。
●增强的dv/dt能力：这表明器件在电压快速变化时具有更好的稳定性和抗干扰能力。
●良好的热稳定性：PT工艺带来了高低温条件下更稳定的漏电流特性。
●应用适配性强：特别适合LLC拓扑，并适用于多管并联应用场景。
四、同类竞品品牌型号对比（表格）及分析
表格分析：
龙腾半导体的这款产品在耐压和导通电阻方面与业界先进水平的超结MOSFET（如英飞凌CoolMOS C7系列）处于同等竞争梯队。其突出的差异化竞争力在于特别强调并对Qrr和Trr参数进行了优化，并集成了FRD，这使其在LLC等充分利用体二极管续流的软开关拓扑中可能具有更低的相关损耗。而CoolMOS C7系列则更侧重于综合优化Qg、Coss等参数以降低开关损耗。
五、实际应用场景
●数据中心与服务器电源：对效率要求极高，LLC拓扑是常见选择。
●通信基础设施电源：需要高可靠性和效率。
●电动汽车车载充电器（OBC）：追求高功率密度和高效率。
●不间断电源（UPS）：同样注重效率与可靠性。
●工业开关电源（SMPS）：适用于各种工业自动化设备。
六、产品供货情况
根据搜索结果中的信息，龙腾半导体此款650V 99mΩ超结MOSFET新品已于2025年9月下旬发布。对于具体的批量供货时间、价格以及如何获取样品等详细信息，建议直接访问龙腾半导体官方网站或联系其官方销售渠道进行确认。
结语
龙腾半导体此次推出的650V/99mΩ超结MOSFET，通过聚焦LLC等先进电源拓扑对开关器件反向恢复特性的苛刻要求，提供了具有针对性的解决方案。其优异的Qrr和Trr表现，结合低导通电阻，使其在追求高效率和高功率密度的现代电源设计中具备竞争力，有望在数据中心、通信及电动汽车充电等领域获得应用。
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