【导读】特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区 董事总经理：芝宫 孝司 第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET的新产品--XP231N0201TR(30V耐压）。
此次发售的产品，是具有低导通电阻和高速开关特性的通用N沟道MOSFET产品。该产品可用于各种机器应用，如继电器电路和开关电路。内置了栅极保护二极管作为防静电措施。
封装组件均采用了小型SOT-23(TO-236)（2.9 X 2.4 X h1.15mm），推动机器小型化。
特瑞仕今后也将根据市场需求迅速开发产品，为实现富裕的社会继续做出贡献。
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