肖特基势垒二极管（SBD）常用于高级驾驶辅助系统（ADAS）相机模块的反向连接保护电路中。但由于车辆系统中高分辨率相机所需的电流较大，因此SBD越来越多地被紧凑型MOSFET取代，这种MOSFET具有低导通电阻和低发热量。例如，在分别为2.0 A和0.6 W的电流和功耗下，传统的汽车MOSFET可以比SBD减少30％的安装面积。

 

采用底部电极型封装方式的MOSFET可以提供必要的散热，同时仍能以更小的外形尺寸支持大电流，与传统的SBD相比，可以将安装面积减少多达78％。但是，虽然底部电极型MOSFET可以小型化并且仍然保持高电流，但是安装过程非常繁琐，一旦通过自动光学检测（AOI）系统（工业相机检查缺少的部件或质量缺陷），安装后就无法验证焊料的高度。而为了确保汽车的质量，在组装过程中必须进行目视检查。 

 

利用“可湿性面板成型技术”

根据ROHM的说法，它是业界第一个通过利用其可湿面板成型技术（Wettable Flank）确保车辆应用所需的最小焊料高度（130μm）。该技术在电镀之前在底部电极封装一侧（例如QFN和DFN）切入引线框架，这增加了封装和基板之间的焊点表面，提高了焊料润湿性，从而可以在安装后轻松验证焊接条件。

 

 

车辆中越来越多的安全和舒适系统使电子系统的空间越来越有限，从而推动了对更小部件的需求。 DFN1616封装尺寸仅为1.6×1.6 mm。 

 

此外，A在先前使用阶梯切割解决方案（step-cut solution）的尝试中，工程师发现随着阶梯切割的高度增加，切割到引线框架中会频繁产生毛刺。为了克服这一限制，ROHM开发了一种方法，在引线框的整个表面上引入阻挡层，以最大限度地减少毛刺的发生。这不仅可以防止安装过程中的焊接缺陷，而且可确保DFN1616（1.6 x 1.6 mm）封装的最小焊接高度为130μm（图1）。使自动检测机能够轻松验证焊接条件，保障焊接质量始终如一。

 

ROHM的RV4xxx系列符合AEC-Q101标准的MOSFET利用了这种新的封装处理技术（图2）。 RV4xxx系列包含两个版本-RV4E031RP和RV4C020ZP。前者的导通电阻（VGS为10 V）表示为75mΩ（典型值）和105mΩ（最大值）。这些器件的漏 - 源电压分别为30 V和20 V，漏电流分别为3.1 A和2.0 A.

 

 

根据ROHM的说法，其新型RV4xxx系列是市场上首款确保封装侧面130μm电极高度的系列。