【导读】Nexperia——分立器件、逻辑器件及 MOSFET 器件的全球领导者，今日宣布推出其 MOSFET 和 LFPAK 系列的新封装。该封装与其最新的硅技术相结合，可产生 40 V MOSFET，且提供 0.7 mΩ 的较低 RDS(on)。LFPAK88 器件取代了较大的功率封装，如 D²PAK 和 D²PAK-7。8 x 8 mm 的尺寸使得占位面积减少了 60％，外形尺寸减小了 64％。
与其他性能通常受内部键合线限制的封装不同，LFPAK88 器件采用铜片夹和焊接芯片连接结构，可降低电阻和热阻，实现良好的电流扩散和散热。此外，铜夹的热导性能还帮助减少了热点的形成，从而改善了雪崩能量 (Eas) 和线性模式 (SOA) 性能。经验证的高连续电流额定值 ID（最大值）425 A 与低 RDS(on) 0.7 mΩ 结合在小尺寸封装中，其具有市场领先的功率密度，与 D2PAK 封装器件相比，最高可提高达 48 倍。
此外，LFPAK88 具有低应力鸥翼引脚，是一种更坚固耐用且耐热的封装，其可靠性水平比 AEC-Q101 要求的性能高出两倍多。Nexperia 产品经理 Neil Massey 评论道：“将 LFPAK88 与我们的硅技术相结合，可以使 MOSFET 的功率密度达到 D2PAK 的 48 倍。这证明了 LFPAK 的发明者 Nexperia 仍然是这项技术的领导者。”
LFPAK88 MOSFET 分为汽车级 (BUK) 和工业级 (PSMN) 两种。汽车应用包括制动、助力转向、反向电池保护和 DC-DC 转换器，通过使用这种封装器件可以节省空间，这点在双冗余电路中特别有用。工业应用包括电池供电的电动工具、专业电源和电信基础设施设备。
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