MOSFET产品导购分类—电子元件技术网采购中心第9页

特瑞仕开发了3种MOSFET新产品--XP22x系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了3种MOSFET新产品--XP22x系列（20V耐压）——XP224N0601TR、XP224N06013R、XP225N2001TR。

特瑞仕扩大了通用P沟道MOSFET产品阵容XP231P02017R

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了MOSFET新产品--XP231P02017R（-30V耐压）

Vishay推出了一种新型30V n沟道MOSFET半桥功率级模块

宾夕法尼亚州马尔文市-2020年7月8日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天推出了一种新型30 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级将高端TrenchFET®MOSFET和低端SkyFET®MOSFET与在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了肖特基二极管。对于计算和电信应用中的功率转换，Vishay Siliconix SiZF300DT提供了更高的功率密度和效率，同时减少了组件数量并简化了设计。

东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”

东芝推出了8款新一代[1]650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”产品，它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z65Z”、“TK110A65Z”、“TK125V65Z”、“TK155A65Z”、“TK170V65Z”、“TK190A65Z” 和 “TK210V65Z”，其主要应用于数据中心和光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源，这些产品扩大了封装和导通电阻方面的产品线。

国产氮化镓核心器件新突破美思迪赛MX6535正式发布

苏州美思迪赛半导体技术有限公司（MIX-DESIGN）推出了一款氮化镓快充主控+栅极驱动器SOC芯片MX6535，使其成为了国内首家掌握氮化镓控制及驱动技术的公司，并在全球范围内成为继美国TI和安森美之后的第三家推出氮化镓驱动及控制器的公司。

特瑞仕开发了6种MOSFET新产品-- XP23x系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了6种MOSFET新产品-- XP23x系列（30V耐压）、XP26x系列（60V耐压）。

Vishay推出业内最低导通电阻的-30 V P沟道MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN —2020年8月17日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，首度推出-30 V p沟道功率MOSFET---SiRA99DP，10 V条件下导通电阻降至1.7 m。Vishay Siliconix TrenchFET®第四代SiRA99DP导通电阻达到业内最低水平，采用热增强型6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK® SO-8单体封装，专门用来提高功率密度。

东芝扩展了新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”

东芝电子元件及存储装置株式会社（简称“东芝”）的新工艺80V N沟道功率MOSFET“U-MOSX-H系列”产品线中新增了四位“新成员”，该系列产品专门用于工业设备的开关式电源。其中，“TPH2R408QM”和“TPH4R008QM”采用SOP Advance(N)[1]贴片式封装技术实现焊盘图案的工业兼容性；“TPN8R408QM”和“TPN12008QM”采用TSON Advance封装技术。

Transphorm的第二款900 V GaN场效应晶体管现已投入生产

Transphorm宣布，该公司的第二款900 V GaN场效应晶体管(FET)现已投入生产。TP90H050WS的典型导通电阻为50毫欧，瞬态峰值额定值为1千伏，现已通过电子设备工程联合委员会(JEDEC)认证。

东芝推出有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V／60V N沟道功率MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出四款采用小型贴片式封装TSON Advance（WF），应用于车载器件的全新N沟道功率MOSFET。这些产品是我们新推出的采用TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。

特瑞仕扩大了通用N沟道MOSFET产品阵容XP22x系列

特瑞仕半导体株式会社（日本东京都中央区董事总经理：芝宫　孝司　第一东京证券交易所:6616）开发了2种MOSFET新产品--XP22x系列（20V耐压）

EPC推出两款新一代200 V 氮化镓场效应晶体管

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。

儒卓力提供来自罗姆的节能SiC－MOSFET

罗姆的SCT3xxx xR系列包含六款具有沟槽栅极结构(650V / 1200V)的碳化硅MOSFET器件。该产品系列提供4引脚封装(TO-247-4L)型款，与传统3引脚封装类型(TO-247N)相比，可最大限度地提高开关性能，并将开关损耗降低多达35%。

e络盟供货安世半导体GaN FET，助力电动车、5G 和物联网应用降低功率损耗

全球电子元器件与开发服务分销商e络盟宣布供应安世半导体最新系列功率氮化镓场效应晶体管（GaN FET）。该创新系列GaN FET外形尺寸小，可实现高功率密度及高效率功率转换，能够以较低的成本开发出更高效系统，同时还可助力电动车、5G通信、物联网等应用改进电源性能。随着越来越多的立法提高碳排放减排要求，实现更高效的功率转换和更高的电气化水平势在必行。GaN FET这一创新系列为设计工程师提供了真正解决这些问题的有效方案。