【导读】英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新产品。新产品导通电阻从30 mΩ到350 mΩ不等，拥有TO247-3pin和TO247-4pin两种封装。另外，表面贴封装（SMD）和CoolSiC™ MOSFET 650V单管新产品也将很快面世。通过这些产品，英飞凌可满足功率转换应用——譬如电动汽车充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动以及服务器和电信设备开关电源（SMPS）——对于高能效SiC解决方案不断快速增长的需求。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET 1200V单管新产品
英飞凌工业功率控制事业部总裁Peter Wawer表示：“在英飞凌，新推出的基础技术必须满足严格的质量标准。即便是标准的TO-247单管封装，前道和后道批量生产流程也必须经过验证。其中包括：收集统计数据，生产监控，以及在标准化生产之外开展与应用相关的测试。在圆满完成SiC MOSFET基础技术的试生产后，我们现在要将最全面的CoolSiC™ MOSFET产品组合推向市场。”
和之前推出的采用TO247单管封装和Easy模块封装的CoolSiC™ MOSFET产品一样，新的单管产品采用业内最先进的沟槽工艺打造。采用该工艺既可使应用中的损耗降到最低，还可使保证运行中的高可靠性。极低的动态损耗借助简单的单极驱动方案即可达到最高效率。
英飞凌CoolSiC™ MOSFET沟槽技术将高达4V的阈值电压（Vth）与低米勒电容融为一体。正因为如此，与市场上其它的SiC MOSFET相比，CoolSiC™ MOSFET可避免寄生导通。再结合最高+18V的推荐门极电压（与最高额定电压+23V相比，还保证了5V安全余量），英飞凌CoolSiC™ MOSFET比硅IGBT、超结MOSFET及其它SiC MOSFET都更胜一筹。
反并联体二极管牢固可靠，可应用于硬开关，CoolSiC™ MOSFET系列产品可助力工程师实现最高能效及简化电路设计。CoolSiC™ MOSFET为功率因数校正（PFC）电路、双向拓扑以及任何硬/软开关的DC-DC或DC-AC电路的设计提供了全新的灵活性。
英飞凌的EiceDRIVER™栅极驱动IC充分满足CoolSiC™ MOSFET超快开关特性需求，两者结合共同发挥出了SiC的优势：提高效率，节省空间和减轻重量，减少零部件数量，提升系统可靠性，为降低系统成本和运营成本提供了可能，为建设节能高效的世界打造新解决方案。
供货情况
采用TO247-3pin和TO247-4pin封装导通电阻为30 mΩ到350 mΩ，将于2019年下半年量产，现已开始提供工程样品。采用D2PAK-7封装产品系列，将于2019年第四季度提供工程样品。
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