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MOSFET
欧时电子引入安森美全新碳化硅MOSFET系列产品
欧时电子（RS Components，简称：RS）是Electrocomponents plc公司（全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴）（伦敦证交所：ECM）的一个贸易品牌，现在中国和日本引进了安森美最新的1200V碳化硅（SiC） MOSFET（场效应晶体管）。这些基于碳化硅技术的功率分离元件能够挑战性能极限。
Vishay推出了一种新型40V n沟道MOSFET半桥功率级
宾夕法尼亚州马尔文市-2020年10月14日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所股票代码：VSH）今天推出了一种新型40 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级可为白色家电以及工业，医疗，医疗保健，医疗保健，和电信应用程序。 Vishay Siliconix SiZ240DT在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了高侧和低侧MOSFET，提供了同类最佳的导通电阻和导通电阻乘以栅极电荷的能力-用于MOSFET的关键品质指标（FOM
Diodes推出业界首款汽车级40V双MOSFET
Diodes Incorporated（纳斯达克股票代码：DIOD）今天宣布推出业内首款汽车级40V双MOSFET，采用3.3mm x 3.3mm封装。从电动座椅控制到高级驾驶员辅助系统（ADAS），DMT47M2LDVQ可以替代两个分立的MOSFET，以减少许多汽车应用中的电路板空间。
东芝推出适用于高效率电源的新款1200V碳化硅MOSFET
2020年10月19日，东芝今日宣布，推出新款1200V碳化硅（SiC）MOSFET---“TW070J120B”。该产品面向工业应用（包括大容量电源），并于今日开始出货。
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能
2020年10月22日，半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET
10月30日消息，英飞凌推出采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻从 30mΩ到 350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。
英飞凌 OptiMOS 源极底置功率 MOSFET 系列新添 PQFN 封装的 40 V 装置
2020年11月3日，继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。这款 40 V SD MOSFET 适用于服务器的 SMPS、电信和 OR-ing，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。
TI推出其首款车用GaN FET, 可提供两倍的功率密度和高达99％的效率！
德州仪器（TI）今天推出了面向汽车和工业应用的下一代650V和600V氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET），进一步丰富拓展了其高压电源管理产品线。与现有解决方案相比，新的GaN FET系列采用快速切换的2.2 MHz集成栅极驱动器，可帮助工程师提供两倍的功率密度和高达99％的效率，并将电源磁性器件的尺寸减少59％。TI利用其独有的GaN材料和在硅（Si）基氮化镓衬底上的加工能力开发了新型FET，与碳化硅（SiC）等同类衬底材料相比，更具成本和供应链优势。
Vishay推出符合AEC-Q101标准的n通道60 V MOSFET
宾夕法尼亚州马尔文市-2020年11月9日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天推出了一款符合AEC-Q101标准的n通道60 V MOSFET，这是PowerPAK®SO-8L双不对称双电源中业界首款此类器件。包。新型Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足节省空间和提高汽车应用DC / DC开关模式电源效率的需求。新型器件在紧凑的5mm x 6mm占位面积中集成了高侧和低侧MOSFET，低侧最大导通电阻低至8.6mW。
瞻芯电子首片国产6英寸碳化硅MOSFET晶圆发布
碳化硅是成为制作高温、高频和大功率电力电子器件的理想半导体材料，相比目前传统的硅基产品，其制成的器件能为电力电子产品升级提供核心保障，像大家熟悉的新能源车、充电桩、光伏发电等领域，目前国际上基于此的6英寸碳化硅晶圆已经大规模投产。10月16日，首片国产6英寸碳化硅MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）晶圆在临港正式发布，填补了国内在此领域的空白，未来市场容量可达百亿美金。
EPC推出 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管EPC2059
宜普电源转换公司是增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商，致力提高产品性能且降低可发货的氮化镓晶体管的成本，最新推出EPC2059 (6.8 mΩ、170 V)氮化镓场效应晶体管，是100 V ~ 200 V产品系列的最新成员，该系列适用于广阔的功率级，而且备有不同价格的器件可供选择，从而满足市场对48 V ~ 56 V服务器和数据中心产品和用于高端计算的多种消费类电源应用（包括游戏PC，LCD / LED电视和LED照明）不断增长的需求。
意法半导体第二代SiC功率MOSFET实现更高转换效率
意法半导体（ST）推出了第二代SiC功率MosFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDSon）和优良的开关性能，开关损耗在结温范围内几乎没有变化。
Vishay在其第四代600V EF系列快速体二极管MOSFET中引入一种新器件
宾夕法尼亚州马尔文市-2020年12月2日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天在其第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET中推出了一种新器件。 Vishay Siliconix n通道SiHH070N60EF为电信，工业，计算和企业电源应用提供了高效率，与上一代设备相比，其导通电阻降低了29％，而栅极电荷降低了60％。对于同类产品，这导致了业界最低的导通电阻时间栅极电荷，这是功率转换应用中使用的600 V MOSFET的关键品质因数（FO
Transphorm开始供应SuperGaN Gen V FET的样品
12月2日——高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的样品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄准电动汽车(EV)市场，提供SuperGaN器件系列行业领先的固有性能增强、易设计性和优化的成本结构。值得一提的是，该公司的Gen V GaN解决方案提供世界上最低的封装导通电阻，并且与采用标准TO-247-3封装的碳化硅(SiC)相
Vishay推出推出了一款N通道60 V MOSFET---SQJ264EP
2020年12月15日 —日前，Vishay宣布推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP，这是采用PowerPAK® SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。
ROHM开发出实现超低导通电阻的第五代Pch MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V和－60V耐压单极型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和双极型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。
Vishay推出经过AEC-Q101认证的100 V汽车级P沟道MOSFET
宾夕法尼亚、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不仅是业内首款鸥翼引线结构5 mm x 6 mm 紧凑型PowerPAK® SO-8L封装器件，而且10 V条件下其导通电阻仅为30 m，达到业内优异水平。
安森美半导体推出新的650 V碳化硅 (SiC) MOSFET
安森美半导体发布一系列新的碳化硅 (SiC) MOSFET器件，适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。
