【导读】东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用其最新一代[1]工艺“U-MOSX-H系列”，适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，并扩大了产品线。新产品采用表面贴装式SOP Advance(N)封装，漏源导通电阻(最大值)为“TPH3R008QM”3 mΩ，“TPH6R008QM”6 mΩ，“TPH8R808QM”8.8 mΩ。
东芝电子器件与存储株式会社(“东芝”)推出了三款80 V n沟道功率MOSFET产品，采用其最新一代[1]工艺“U-MOSX-H系列”，适用于数据中心和通信基站等工业设备的开关电源，并扩大了产品线。新产品采用表面贴装式SOP Advance(N)封装，漏源导通电阻(最大值)为“TPH3R008QM”3 mΩ，“TPH6R008QM”6 mΩ，“TPH8R808QM”8.8 mΩ。
新产品降低了优点(FOMs:表示为导通电阻×电荷特性[2])。就TPH3R008QM而言，与东芝现有产品TPH4R008NH相比，其FOMs、漏源导通电阻×总栅极电荷约减少48%，漏源导通电阻×栅极开关电荷约减少16%，漏源导通电阻×输出电荷约减少33%。这有助于降低设备的功耗。
东芝正在扩大其产品阵容，以帮助降低设备功耗。
注:
[1]截至2023年8月。
[2]总栅极电荷、栅极开关电荷、输出电荷
应用
开关电源(高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等)
电机控制设备(电机驱动等)
特性
●最新一代[1]工艺U-MOSX-H系列
低导通电阻:
TPH3R008QM RDS(ON)=3 mΩ (max) (VGS= 10v)
TPH6R008QM RDS(ON)=6 mΩ (max) (VGS= 10v)
TPH8R808QM RDS(ON)=8.8 mΩ (max) (VGS=10 V)
高通道温度:Tch(最高)=175°C
主要规格
(除非另有说明，Ta=25°C)
内部电路
东芝U-MOSX-H系列80v n沟道功率MOSFET产品阵容扩展的内部电路说明，有助于降低电源的功耗。
应用电路示例
东芝U-MOSX-H系列80v n沟道功率MOSFET产品阵容扩展的应用电路示例说明，有助于降低电源的功耗。
注:
本文档中所示的应用电路仅供参考。
需要进行彻底的评估，特别是在批量生产设计阶段。
提供这些应用电路示例并不授予任何工业产权许可。
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