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东芝扩展了100V车载N沟道功率MOSFET的产品线

发布时间:2023-07-18 责任编辑:wenwei

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出两款采用L-TOGL™封装的车载N沟道功率MOSFET产品,满足汽车设备对48V电池日益增长的需求。这两款产品分别是80V “XPQR8308QB”和100 V “XPQ1R00AQB”。


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用于轻型电动汽车和ISG的逆变器、电池管理系统和接线盒的负载开关和半导体继电器,要求产品具有高可靠性、高漏极电流额定值和高散热设计[1]。


新产品采用东芝最新一代U-MOS X-H工艺,导通电阻极低。此外,L-TOGL™封装采用铜夹片结构,通过厚铜框连接MOSFET芯片和外部引脚。与东芝现有TO-220SM(W)封装相比,封装电阻下降大约70%,结壳热阻降低50%[2]。同时,该封装采用鸥翼式引线,可降低安装应力,提高板载贴装器件焊点可靠性。这些特性可以在大电流时实现设备的低功耗和高散热。


当应用需要更大工作电流时,可以并联MOSFET。在这种并联连接中,并联MOSFET的特性差异越小越好。为减小这种偏差,我们支持根据栅极阈值电压分组发货[3]。


本系列目前有四种L-TOGL™封装产品,包括东芝现有40V产品“XPQ1R004PB和 XPQR3004PB”。东芝将提供更多合适的产品,以满足车载应用对大电流、高功率密度设计和高可靠性不断增长的需求。


注:

[1]ISG: 集成式起动发电机

[2]东芝现有产品XK1R9F10QB(100V产品)

[3]东芝提供分组出货,每卷产品栅极阈值电压偏差范围为0.4V。但不允许指定特定组别。请联系我们的销售代表了解更多信息。


应用


●  汽车设备(逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动电路等)


特性


●  低导通电阻::

XPQR8308QB RDS(ON)=0.83mΩ(最大值) (VGS=10V)

XPQ1R00AQB RDS(ON)=1.03mΩ(最大值)(VGS=10V)

●  L-TOGL™高散热封装

●  AEC-Q101认证


主要规格


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内部电路


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应用电路示例


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