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东芝推出采用新型封装的车载40V N沟道功率MOSFET

发布时间:2023-08-17 责任编辑:wenwei

【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款采用东芝新型S-TOGLTM(小型晶体管轮廓鸥翼式引脚)封装与U-MOS IX-H工艺芯片的车载40V N沟道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”,两款产品于今日开始支持批量出货。


自动驾驶系统等高安全级别的应用可通过冗余设计确保可靠性,因此与标准系统相比,它们集成了更多的器件,需要更多的表贴空间。所以,要进一步缩小汽车设备的尺寸,需要能够在高电流密度下表贴的功率MOSFET。


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XPJR6604PB和XPJ1R004PB采用东芝的新型S-TOGLTM封装(7.0mm×8.44mm[1]),其特点是采用无接线柱结构,将源极连接件和外部引脚一体化。源级引脚的多针结构降低了封装电阻。


与具有相同热阻特性的东芝TO-220SM(W)封装产品[2]相比,S-TOGLTM封装与东芝U-MOS IX-H工艺相结合,可实现导通电阻显著降低11%。与TO-220SM(W)封装相比,新型封装还将所需的表贴面积减少了大约55%。此外,采用新型封装的产品可提供200A漏极额定电流,高于东芝类似尺寸的DPAK+封装(6.5mm×9.5mm[1])产品,从而实现了大电流。总体而言,S-TOGLTM封装可实现高密度和紧凑布局,缩小汽车设备的尺寸,并有助于实现高散热。


由于汽车设备可能在极端温度环境下工作,因此表面贴装焊点的可靠性是一个关键考虑因素。S-TOGLTM封装采用鸥翼式引脚,可降低表贴应力,提高焊点的可靠性。


当需要并联多个器件为应用提供更大工作电流时,东芝支持这两款新产品按栅极阈值电压分组出货[3]。这样可以确保设计使用同一组别的产品,从而减小特性偏差。


东芝将继续扩展其功率半导体产品线,并通过用户友好型、高性能功率器件为实现碳中和做出贡献。


应用


●  汽车设备:逆变器、半导体继电器、负载开关、电机驱动等


特性


●  新型S-TOGLTM封装:7.0mm×8.44mm(典型值)

●  高额定漏极电流:

    ○ XPJR6604PB:ID=200A

    ○ XPJ1R004PB:ID=160A

●  AEC-Q101认证

●  提供IATF 16949/PPAP[4]

●  低导通电阻:

    ○ XPJR6604PB:RDS(ON)=0.53mΩ(典型值)(VGS=10V)

    ○ XPJ1R004PB:RDS(ON)=0.8mΩ(典型值)(VGS=10V)


注:

[1]典型封装尺寸,包括引脚。

[2]TKR74F04PB采用TO-220SM(W)封装。

[3]东芝可以提供分组出货,每卷产品的栅极阈值电压浮动范围为0.4V。但是不允许指定特定组别。请联系东芝销售代表了解更多信息。

[4]请联系东芝销售代表了解更多信息。


主要规格


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