【导读】12月2日——高可靠性、高性能的氮化镓(GaN)功率转换产品的先驱和全球供应商Transphorm Inc. (OTCQB: TGAN)今日宣布供应其SuperGaNTM自主品牌旗下的首款Gen V器件的样品。Transphorm的新型Gen V器件TP65H015G5WS瞄准电动汽车(EV)市场，提供SuperGaN器件系列行业领先的固有性能增强、易设计性和优化的成本结构。值得一提的是，该公司的Gen V GaN解决方案提供世界上最低的封装导通电阻，并且与采用标准TO-247-3封装的碳化硅(SiC)相比功耗降低了25%，从而提升GaN在EV功率转换市场上的潜力。
2020年3月，汽车行业全球领先的独立供应商之一Marelli宣布与Transphorm建立战略合作关系，合作开发基于GaN的新型汽车/EV功率转换解决方案，包括适用于电动及混合动力汽车的车载充电器(OBC)、直流-直流(DC-DC)转换器和动力系统变频器。到目前为止，Marelli已向Transphorm做出400万美元的股权投资，并承诺在2021年第一季度追加100万美元的股权投资。
Marelli电动动力系统首席执行官Joachim Fetzer博士评论道：“Transphorm验证并实现了采用电桥配置的分立封装GaN器件的功率可达10千瓦，这进一步印证了GaN用于电动汽车转换器和变频器的令人兴奋的前景。作为我们此前宣布的合作关系的一部分，我们将继续对Transphorm业界领先的GaN器件进行评估，并合力为EV系统产品多年路线图提供支持。”
Transphorm联合创始人兼首席运营官Primit Parikh表示：“我们不断革新Transphorm的SuperGaN FET技术，现在能够以市面上标准的TO-247-3封装提供世界上最低的导通电阻，同时瞄准电动汽车及其他更高功率转换应用。这使客户能够通过单台设备将功率提高到两位数千瓦，从而继续证明GaN具有提供更高性能、更低系统成本和更高功率密度的能力。我们的Gen V GaN平台为以前需要并联的功率电平创造了新的设计机会，同时仍能提供超过99%的效率。”
Transphorm的SuperGaN™技术优于碳化硅
SuperGaN Gen V平台融合了其上一代Gen IV的所有经验、获专利的减小封装电感技术、易于设计性和可驱动性（4V的Vth，以实现抗扰性）和+/- 20 Vmax的栅极稳健性，以及简化缩小的装配结构。在《电子工程世界》(EEWorld)上发表的“突破高压GaN功率转换极限”最新文章中，该公司的TP65H015G5WS与采用标准TO-247-3封装、导通电阻类似的尖端SiC MOSFET进行了比较。这两款器件在半桥同步升压转换器中均以70 kHz的频率运行，最高功率为12 kW，而得出的结果是Transphorm的GaN器件的功耗低25%。
Transphorm已开始供应SuperGaN Gen V FET的样品，SuperGaN Gen V FET是一款电阻15 mΩ、电压 650 V的器件，由于其栅极灵敏度，当下流行的单芯片e-mode GaN技术在此器件中不可用。该解决方案与采用分立封装的典型SiC MOSFET的最低电阻(R)相当，能够根据目标应用驱动10 kW以上的功率，例如EV OBC和动力系统逆变器、机架式数据中心服务器的电源、不间断工业电源应用及可再生光伏逆变器。TP65H015G5WS也将用于裸片级封装模块解决方案，后者能够进一步并联以实现更高的功率。该公司预计其Gen V FET器件将在2021年年中获得JEDEC认证，此后也有望获得AEC-Q101认证。
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