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英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET

发布时间:2020-11-04 责任编辑:wenwei

【导读】10月30日消息,英飞凌推出采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC™ MOSFET,导通电阻从 30mΩ到 350mΩ,可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器(不同的电流额定值)实现最高效率。
 
了解使用此 SMD 封装从而提高应用性能的多种方法:被动冷却解决方案、增大功率密度、延长使用寿命等等。请联系您当地的英飞凌代表,详细了解无风扇伺服驱动的实现、机器人和自动化行业的逆变器 - 电机一体化,以及低功率紧凑型充电器解决方案。
 
CoolSiC™沟槽 MOSFET 技术经过优化,将性能与可靠性相结合,并具有 3µs 的短路时间。由于采用 .XT 连接技术,其小巧封装外形的散热性能得到显著改善。相比标准封装的连接技术,.XT 连接技术可多消散 30%的额外损耗。该全新 CoolSiC™ .XT 产品系列表现出一流的热性能和循环能力:与标准连接技术相比,输出电流最多提高 14%,开关频率提高一倍,工作温度则降低 10-15°C。
 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET
 
特 性
 
●   开关损耗极低
●   短路时间 3µs
●   完全可控 dV/dt
●   典型栅极阈值电压,VGS(th) =4.5V
●   不易寄生导通,可选用 0V 关断栅极电压
●   坚固耐用的体二极管,实现硬开关
●   .XT 连接技术,实现一流的热性能
●   为 1200V 优化的 SMD 封装,其爬电距离和电气间隙在 PCB 上>6.1mm
●   Sense 引脚,可优化开关性能
 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET
应用示意图
 
优 势
 
●   效率提升
●   实现更高频率
●   增大功率密度
●   减少冷却设计工作量
●   降低系统复杂性并降低成本
●   SMD 封装能直接集成于 PCB,采用自然对流冷却方式,无需额外的散热器
 
目标应用
 
●   电机驱动
●   基础设施 - 充电桩
●   发电 - 太阳能组串式逆变器和优化器
●   工业电源–工业 UPS
 
竞争优势
 
●   无风扇驱动
●   实施被动冷却
●   最高效率,无需散热器
●   通过减少零件数量并减小外形尺寸实现紧凑型解决方案
●   SMD 集成于 PCB,采用自然对流冷却方式,仅有热通孔
●   电机和逆变器一体化
●   采用具备大爬电距离和电气间隙的 SMD 封装的 1200V 器件符合安全要求
 
英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET
 
 
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