MOSFET产品导购分类—电子元件技术网采购中心第12页

ROHM开发出实现超低导通电阻的新一代双极MOSFET

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列（Nch+Pch*2）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。

Microchip推出1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块

如今为商用车辆推进系统提供动力的节能充电系统，以及辅助电源系统、太阳能逆变器、固态变压器和其他交通和工业应用都依赖于高压开关电源设备。为了满足这些需求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布扩大其碳化硅产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。

东芝推出了三款 100 V N 沟道功率 MOSFET 产品，有助于减小汽车设备的尺寸

东芝电子元件与存储株式会社（“东芝”）推出了三款 100 V N 沟道功率 MOSFET 产品，有助于减小汽车设备的尺寸并扩大产品阵容。

Nexperia新款特定应用MOSFET将SOA增加了166%，并将PCB占用空间减小80%

基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET，新器件增强了SOA性能，适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。

领先的碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC（联合碳化硅）公司，现已发布业界最佳的750V、6mΩ器件，从而响应了电源设计人员对更高性能、更高效率的SiC FET的需求。这款6mΩ新器件的RDS(on)值不到最接近的SiC MOSFET竞争产品的一半，并且还提供了鲁棒的5μs额定短路耐受时间。今天所发布的产品包括750V SiC FET系列中的9种新器件/封装选项，额定值为6、9、11、23、33和44mΩ。

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管

EPC 推出了 40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET），器件型号为EPC2069，专为设计人员而设，EPC2069比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

意法半导体推出小尺寸，高隔离电压的SiC MOSFET隔离驱动器

意法半导体（STMicroelectronics ）推出超小型SiC MOSFET隔离式栅极驱动器，采用SO-8封装，尺寸仅为 5mm x 4mm。

东芝扩大车载用小型MOSFET产品阵容SSM6K818R

东芝电子元件与存储株式会社（“东芝”）推出了 30 V 产品“SSM6K818R”、适用于前照灯控制开关等的汽车设备用 N 沟道 MOSFET，以扩大其阵容。

意法半导体新增MDmesh™ K6 800V STPOWER MOSFET

意法半导体提高了新一代 ST25DV-I2C动态NFC-tag IC的I2C 接口性能，让主机系统更快速、更轻松地读写标签芯片上的EEPROM存储器。

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管EPC2067

EPC推出了40 V、1.3 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN® FET），器件型号为EPC2067，专为设计人员而设。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，适用于高性能且空间受限的应用。

Diodes面向电动汽车产品应用推出高电流TOLL MOSFETs

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作，另外，80 瓦等级的 DMTH8001STLWQ 金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 比 TO263 占据的 PCB 面积少了百分之二十。产品的特色是剖面外的模板只有 2.4 毫米厚。这特色让产品成为高可靠性电力产品应

英飞凌推出采用全新功率MOSFET技术的OptiMOS 6 100V系列

当前开关电源 (SMPS) 和电池供电应用的显著发展趋势是提高效率和可靠性。顺应这一发展趋势，英飞凌科技股份公司（FSE：IFX / OTCQX：IFNNY）推出了采用全新功率 MOSFET 技术的 OptiMOS™ 6 100 V系列。新产品专门针对电信和太阳能等高开关频率应用进行了优化，这些应用的损耗与电荷（开关）和导通电阻（传导）相关。同时，它具备极低的导通电阻和更宽的安全工作区 (SOA)，是电池供电应用 (BPA) 和电池管理系统 (BMS) 的理想选择。

安森美发布高性能、低损耗的SUPERFET V MOSFET系列，应用于服务器和电信

领先于智能电源和智能感知技术的安森美发布新的600 V SUPERFET V MOSFET系列。这些高性能器件使电源能满足严苛的能效规定，如80 PLUS Titanium，尤其是在极具挑战性的10%负载条件下。

Microchip将为Mersen SiC电源协议栈参考设计提供碳化硅MOSFET和数字栅极驱动器

Microchip宣布与Mersen合作推出150千伏安（kVA）三相碳化硅电源协议栈参考设计。Mersen是一家为包括电动出行和能源储存在内的众多工业行业提供电源管理解决方案的全球供应商。

东芝量产两款采用 SOP Advance(WF) 封装的汽车用 N 沟道 MOSFET

东芝已开始量产两款采用 SOP Advance(WF) 封装的汽车用 N 沟道 MOSFET，并扩大了产品阵容。两种型号均为 60 V“XPH2R106NC、XPH3R206NC”。

东芝推出两款全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块

东芝宣布，推出两款全新碳化硅（SiC）MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和 “MG400V2YMS3”：前者额定电压为1200V，额定漏极电流为600A；后者额定电压为1700V，额定漏极电流为400A。

Vishay推出PowerPAK 8x8L封装60V和80V N沟道MOSFET

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标，60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻，工作温度可达+175 C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结

英飞凌推出全新的OptiMOS源极底置功率MOSFET

高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。

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