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MOSFET
Nexperia推出采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥汽车MOSFET
奈梅亨，2021年2月23日：关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。
东芝面向工业应用推出双通道碳化硅 MOSFET 芯片模块MG800FXF2YMS3
东芝宣布，面向工业应用推出一款集成最新开发的双通道碳化硅（SiC）MOSFET芯片（具有3300V和800A特征）的模块---“MG800FXF2YMS3”，该产品将于2021年5月投入量产
安森美半导体推出世界首款车规硅光电倍增管(SiPM)阵列产品
安森美半导体发布新的RDM系列硅光电倍增管 (SiPM) 阵列，将激光雷达 (LiDAR) 传感器能力扩展到其广泛的智能感知方案阵容。ArrayRDM-0112A20-QFN是市场上首款符合车规的SiPM产品，应对汽车行业及其他领域LiDAR应用中不断增长的需求。
东芝推出适用于电源应用的40V U-MOSIX-H系列N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了适用于电源应用的40V U-MOSIX-H系列N沟道功率MOSFET“TPHR7404PU”。
东芝推出采用TOLL封装的650V超级结功率MOSFET
东芝宣布在其TOLL（TO-无引线）封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET---TK065U65Z、TK090U65Z、TK110U65Z、TK155U65Z和TK190U65Z，今日开始批量出货。
英飞凌推出车用650 V CoolSiC混合分立器件 可降低成本
英飞凌科技公司推出车用650 V CoolSiC™ 混合分立器件（Hybrid Discrete），内含一个50 A TRENCHSTOP™ 5快速开关IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor绝缘栅双极型晶体管）和一个CoolSiC肖特基二极管，可降低成本、提高性能和可靠性。将IGBT与肖特基二极管结合，可为硬交换拓扑实现高性价比平衡，且支持高完整性系统及双向充电，从而使该器件非常适用于快速开关汽车应用，如车载充电器（OBC）、功率因数校正（PFC）、DC-DC（直流-
Vishay推出全球先进的汽车级80 V P沟道MOSFET--SQJA81EP
Vishay推出通过AEC-Q101认证、全球先进的p沟道80 V TrenchFET® MOSFET---SQJA81EP。新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平，可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装，10 V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。
Nexperia推出其第二代650 V功率GaN FET器件系列
基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比，新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS)，特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。
东芝推出10款适用于工业设备开关电源的新一代80V N沟道功率MOSFET
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）推出了10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装
东芝扩展了共漏极12V多通道MOSFET产品线
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）扩展了共漏极12V多通道MOSFET产品线，推出一款用于移动设备和其他设备锂离子电池组电池保护电路的产品—SSM10N954L。
Vishay推出先进的30 V N沟道MOSFET——SiSS52DN
日前，Vishay推出多功能新型30 V n沟道TrenchFET®第五代功率MOSFET---SiSS52DN，提升隔离和非隔离拓扑结构功率密度和能效。Vishay Siliconix SiSS52DN采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装，10 V条件下导通电阻仅为0.95 mW，比上一代产品低5 %。
Nexperia 推出新型40 V低 RDS(on) MOSFET，用于汽车和工业应用
Nexperia宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，该器件采用高可靠性的LFPAK88封装，适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件，更重要的是，它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外，这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能，从而提高了耐用性和可靠性。
安森美半导体发布新的用于电动车充电的完整碳化硅MOSFET模块方案
安森美半导体，发布一对1200 V完整的碳化硅 (SiC) MOSFET 2-PACK模块，进一步增强其用于充满挑战的电动车 (EV) 市场的产品系列。
英飞凌推出EasyPACK™ CoolSiC™ MOSFET模块，适用于ESS的快速开关应用
近日，英飞凌科技股份公司推出全新EasyPACK™ 2B模块。作为英飞凌1200 V系列的产品，该模块采用有源钳位三电平（ANPC）拓扑结构，并集成了CoolSiC™ MOSFET、TRENCHSTOP™ IGBT7器件、NTC温度传感器以及PressFIT压接引脚。此功率模块适用于储能系统（ESS）这样的快速开关应用，还有助于提高太阳能系统的额定功率和能效，并可满足对1500 V DC-link太阳能系统与日俱增的需求。
Microchip抗辐射MOSFET获得商业和军用卫星及航空电源解决方案认证
空间应用电源需要在抗辐射技术环境中运行，防止极端粒子相互作用及太阳和电磁事件的影响，因为这类事件会降低空间系统的性能并干扰运行。为满足这一要求，Microchip Technology Inc.（美国微芯科技公司）今日宣布其M6 MRH25N12U3抗辐射型250V、0.21欧姆Rds（on）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）获得了商业航天和国防空间应用认证。
EPC推出新款80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管
EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），可提供221 A脉冲电流，其芯片级封装的尺寸为7.1 mm2。 小尺寸和卓越的效率使得整体电源系统的尺寸更小和更轻，并且成为 电动出行、电动自行车和踏板车，服务、交付、物流机器人和无人机的 32V/48V BLDC 电机驱动应用的理想器件。
Nexperia新8英寸晶圆生产线启动，推出首批产品Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET
Nexperia宣布，位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动，首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ，80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能，新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。
东芝推出新的SiC MOSFET器件结构，高温可靠且可降低功率损耗
东芝开发了一种新的SiC MOSFET[1]器件结构，同时在高温下实现更高的可靠性和更低的功率损耗。在175℃[2]电流水平超过东芝现有结构两倍的3300V芯片中，新结构运行时没有任何可靠性损失，并且3300V芯片在室温下的导通电阻降低了约20%，1200V芯片降低了40%［3］。
