【导读】Vishay今天推出了一款通过AEC-Q101认证的n通道60 V MOSFET，这是业内首款采用PowerPAK®SO-8L双不对称封装的此类器件。新型Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足节省空间和提高汽车应用DC / DC开关模式电源效率的需求。新型器件在紧凑的5mm x 6mm占位面积中集成了高侧和低侧MOSFET，低侧最大导通电阻低至8.6mW。
与非MOSFET解决方案相比，今天发布的汽车级器件通过将两个TrenchFET®MOSFET共封装在非对称封装中，从而减少了元件数量和电路板空间要求，同时提高了功率密度。此外，在占空比小于50％的功率转换中，其优化的管芯尺寸控制（高端）和同步（低端）MOSFET组合比对称双器件具有更高的效率。
SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 mW，典型栅极电荷为9.2 nC，而通道2 MOSFET在10 V时提供8.6 mW导通电阻，典型栅极电荷为19.2 nC。由于没有内部连接的开关节点，SQJ264EP为设计人员提供了灵活性，可将晶体管配置为不同的拓扑，包括同步降压或同步升压DC / DC转换器。
通过在+175°C的高温下工作，双MOSFET可提供信息娱乐系统，显示器，LED照明以及电动自行车等汽车应用所需的坚固性和可靠性。此外，与QFN单封装和双封装相比，SQJ264EP的鸥形引线可以在其引脚下方提供更好的焊料流动，增强的自动光学检查（AOI）功能以及更高的板级可靠性。
该设备经过100％的Rg和UIS测试，符合RoHS要求，并且不含卤素。
SQJ264EP的样品和批量生产现已开始提供，大宗订单的交货时间为12周。
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