【导读】宾夕法尼亚州马尔文市-2020年12月2日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天在其第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET中推出了一种新器件。 Vishay Siliconix n通道SiHH070N60EF为电信，工业，计算和企业电源应用提供了高效率，与上一代设备相比，其导通电阻降低了29％，而栅极电荷降低了60％。对于同类产品，这导致了业界最低的导通电阻时间栅极电荷，这是功率转换应用中使用的600 V MOSFET的关键品质因数（FOM）。
Vishay提供广泛的MOSFET技术，支持功率转换过程的所有阶段，从高压输入到为最新的高科技设备供电所需的低压输出。借助SiHH070N60EF和即将推出的第四代600 V EF系列产品，该公司正在满足电源系统架构的前两个阶段（图腾柱无桥功率因数校正（PFC））对效率和功率密度改进的需求。 ）和软开关DC / DC转换器拓扑。
SiHH070N60EF建立在Vishay最新的节能E系列超级结技术之上，在10 V时典型的导通电阻很低，仅为0.061Ω，栅极电荷低至50 nC，超低。该器件的FOM为3.1Ω* nC，比同类竞争产品中最接近的MOSFET低30％。这些值可降低传导和开关损耗，从而节省能源。为了在零电压开关（ZVS）拓扑（例如LLC谐振转换器）中改善开关性能，SiHH070N60EF分别提供90 pf和560 pF的低有效输出电容Co（er）和Co（tr）。该器件的Co（tr）比同类的最接近的MOSFET低32％。
今天发布的器件采用PowerPAK®8x8封装，符合RoHS要求，不含卤素，旨在承受雪崩模式下的过压瞬变，并通过100％UIS测试确保极限。
SiHH070N60EF的样品和批量生产现已开始供应，供货周期为10周。
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