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东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”

发布时间:2020-07-14 责任编辑:wenwei

【导读】东芝推出了8款新一代[1]650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”产品,它们分别是“TK110N65Z”、“TK110Z65Z”、“TK110A65Z”、“TK125V65Z”、“TK155A65Z”、“TK170V65Z”、“TK190A65Z” 和 “TK210V65Z”,其主要应用于数据中心和光伏发电机功率调节器等工业设备的开关电源,这些产品扩大了封装和导通电阻方面的产品线。
 
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”
 
新一代DTMOSVI系列与上一代DTMOSIV-H系列相比,降低了“漏极-源极导通电阻x栅极-漏极电荷”(品质因数)的值约为40%,使开关电源的效率提高了约0.36%[2]。
 
东芝将通过继续扩大其产品线以满足市场发展趋势,从而帮助提高电源效率。
 
注:
 
[1] 截止2020年3月,东芝调研。
[2] 截止2020年3月东芝的测量值(通过使用输出功率为2500 W的PFC电路来对比新产品系列中的TK040N65Z与传统产品系列中的TK62N60X)
 
特性
 
●   “漏源导通电阻x栅极-漏极电荷”的值—— 降低约40 %[3]以提高开关电源的效率。
 
注:
 
[3] 与传统DTMOSIV-H系列比较
 
应用
 
工业设备的开关电源
 
●   数据中心(服务器电源等)
●   光伏发电机的功率调节器
●   不间断电源系统
 
产品规格
 
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”
 
注:
 
[4] DTMOSIV系列
 
内部电路
 
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”
 
应用电路示例
 
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”
 
本文所示应用电路仅供参考。
需要进行全面评估,特别是在量产设计阶段。
提供这些应用电路实例并不授予任何工业产权许可。
 
特性比较[1]
 
东芝推出8款650V超结N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”
 
注:
 
[5] 测量数据的平均值
 
 
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