【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出四款采用小型贴片式封装TSON Advance（WF），应用于车载器件的全新N沟道功率MOSFET。这些产品是我们新推出的采用TSON-Advance（WF）封装的低导通电阻N沟道MOSFET，它们分别是40 V “XPN3R804NC”和“XPN7R104NC”，60 V “XPN6R706NC”和“XPN12006NC”。
新产品采用带有可焊锡侧翼端子结构的TSON Advance（WF）封装，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。此外，采用东芝“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻产品有助于设备节能。所以我们能够用它代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品。性能改进还有利于通过更换类似的5×6mm尺寸的产品，以促进ECU的小型化。
特性
● 符合AEC-Q101
● 低导通电阻：
○ RDS(ON)＝3.8mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN3R804NC）
○ RDS(ON)＝7.1mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN7R104NC）
○ RDS(ON)＝6.7mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN6R706NC）
○ RDS(ON)＝12.0mΩ（最大值）@VGS＝10V（XPN12006NC）
● 带有可焊锡侧翼端子结构的小型贴片式封装TSON Advance（WF）：3.3×3.6 mm（典型值）
应用
车载设备
● 开关稳压器
● DC-DC转化器
● 电机驱动器
产品规格
内部电路
应用电路示例
注：本文所示应用电路仅供参考。需要进行全面评估，特别是在量产设计阶段。提供这些应用电路示例并不表示授予任何工业产权许可。
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