【导读】宾夕法尼亚州马尔文市-2020年7月8日-Vishay Intertechnology，Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）今天推出了一种新型30 V n沟道MOSFET半桥功率级，该功率级将高端TrenchFET®MOSFET和低端SkyFET®MOSFET与 在一个紧凑的PowerPAIR®3.3 mm x 3.3 mm封装中集成了肖特基二极管。 对于计算和电信应用中的功率转换，Vishay Siliconix SiZF300DT提供了更高的功率密度和效率，同时减少了组件数量并简化了设计。
今天发布的器件中的两个MOSFET在内部以半桥配置连接。 通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为4.5mΩ，在4.5 V时为7.0mΩ。通道2 MOSFET在10 V时导通电阻为1.84mΩ，在4.5 V时为2.57mΩ。导通电阻为MOSFET典型。 分别为6.9 nC和19.4 nC。
与采用类似导通电阻的6mm x 5mm封装的SiZF300DT相比，双芯片器件的尺寸缩小了65％，使其成为市场上最紧凑的集成产品之一。 该器件为设计人员提供了一种节省空间的解决方案，用于图形和加速卡，计算机，服务器以及电信和RF网络设备中的负载点（POL）转换，电源以及同步降压和DC / DC转换器。
双MOSFET具有独特的引脚配置和结构，与相同占位面积的竞争产品相比，每个电流相提供的输出电流最多高11％。此外，输出电流超过20 A时效率更高。该器件的引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强热传递，优化电气路径并简化PCB布局。
SiZF300DT经过100％的Rg和UIS测试，符合RoHS要求，并且不含卤素。
新型双MOSFET的样品和量产批量现已提供，大宗订单的供货周期为12周。
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